Изобретение относится к области электронно-лучевых методов анализа твердотельных объектов и может быть применено дпя определения термодинамической характеристики поверхностной решетки твердого тела - коэффициента температурного расширения.
Цель изобретения состоит в упро- измерения коэффициента теплового расширения приповерхностной области твердого тела.
На чертеже приведена схема аппаратной реализации предлагаемого способа.
На схеме изображены исследуеььЕй образец I, пучок 2 медленных электронов, электронно-оптическая система 3, блок 4 развертки, электронная пушка 5, система 6 синхродетектирования, косвенный нагреватель 7, термопара 8.
Способ реализуется следующим образом.
На поверхность исследуемого образца 1 направляют пучок медленных электронов 2, сформированный электронно- оптической системой 3. Энергию пучка увеличивают от О до значения Е.. (которое выбирается в зависимости от заданной гпубины зондирования приповерхностной области твердого тела и энергетической зависимости длины свободного пробега электрона) путем подачи отрицательного напряжения смещения от блока 4
развертки на катодный узел электронной пущки 5. В цепи образца с помощью
о: о сд
;о
системы 6 синхродетектирования регистрируют токовый сигнал, пропорциональный первой производной от тока в цепи мишени по энергии падающих электро- нов dl/dE. На полученной кривой идентифицируют спектральные минимумы, связаннь1е с порогами появления брэг- говских рефлексов.. Для этого исследую зависимость интенсивности наблюдаемой структуры. dl/dE, от направления падения пучка первичных электронов. Минимумы, связанные с порогами возникновения брэгговскик рефлексов, плавно меняют интенсивность и энергетическое положение. Далее при неизменной гео- метрии производят нагрев образца 1 с помощью косЪенно го нагревателя 7 на величину Т. Контроль температуры осуществляют термопарой 8. При нагре- ве на зависимости dl/dE, происходит смещение зафиксированных ранее минимумов на величину АЕ. По формуле
0/.-ЛЕ/2&ТЕ
определяют величину линейного коэффициента температурного расширения о(, . При этом, на зависимости dl/dE имеются минимумы, соответствующие порогам появления дифракционных рефлексов различного порядка. Измерение ДЕ для каждого из таких рефлексов позволяет проследить изменение коэффициента линейного расширения от поверхности к объему, поскольку-порядок рефлекса примерно соответствует порядку зондируемого монослоя кристаллической решетки.
Пример. Про-водили определение коэффициента теплового расширения поверхности монокристалла Ni(lOO). Энергию электронного пучка меняли по линейному закону от О до 100 эВ с помощью развертки. На катодный узел подавали модулирующее напряжение с частотой 1,5 кГц и амплитудой О,1 В от звукового генератора ГЗ-117 через трансформатор. В цепи образца с помощью стандартного блока синхродетектирования УПИ-1 выделяют сигнал, соответствующий dl/dEj,. Этот сигнал пода- вали на Y-вход двухкоординатного самописца. На Х-вход того же самописца подавали напряжение развертки. Таким образом осуществляли графическую регистрацию зависимости dl/dE. Перво- начальная температура образца 300 К. На полученной экспериментальной зависимости в области 21, 32, 88 эВ присутствуют характерные минимумы. Для
Q 5 0
5
JQ .
40 45 д
проведения брэгговской природы указанных минимумов проводилось исследование угловых зависимостей токовой характеристики dl/dE.., Минимумы при энергии 21, 32, 88 зВ плавно меняли свое положение и интенсивность при .изменении угла падения пучка первичных электронов, что подтвердило их брэгговскую природу Затем нагревали образец до температуры 300 С, которую определяли вольфрамрениевой термопарой. Повторно записывали зависимость dl/dEj и измеряли энергетические смещения Е минимумов в области 21, 32, 88 эВ, которые составили 1,5; 1; 1 эВ соответственно. По измеренным величинам Е и Л Т по приведенной фс рмуле получены значения Oi,5,8 10 град ; ,6 ОО град ; 0(5 1, 2710 , которые подтверждают тенденцию увеличения коэффициента температурного расширения от объема к поверхности..
Пpeдлaгae ый способ прост, при его реализации измеряют только токовые характеристики в цепи образца. Отпадает необходимость визуализации картины дифракции мe y eнныx электронов .
Применение предлагаемого способа повышает экспрессность процедуры измерения и позволяет при проведении однократного измерения получить информацию об изменении величины коэффициента температурного расширения от поверхности к объему.
Формула изобретение
Способ определения коэффициента температурного расширеьшя приповерхностной области твердого тела, заключающийся в облучении образца пучком медленных электронов, обеспечивающем возникновение картины дифракции медленных электронов, измерении положения брэгговских пиков при по крайней мере двух температурах оЬразца, определении Коэффициента температурного расширенная oi по формуле
ОС -ДЕ/|АТ|2Е,
где ЛЕ - энергетический сдвиг брэгговского рефлекса; ЛТ - величина изменения температуры образца; Ef. - энергия электронов, при которой наблюдается брэгговский рефлекс;
отличающийся тем, что, с целью упроще1ия процесса измерения и повышения экспрессности, для нахождения положения брэгговских пиков иэме- ояют зависимость тока в цепи образца
от энергии первичных электронов и определяют сдвиг энергетического положения характерных минимумов, на указанной зависимости при изменении температуры образца, возникновение которых обусловлено соответствующими брэг- говскими пиками.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ определения температурного коэффициента свободной поверхностной энергии металлических монокристаллов | 1988 |
|
SU1530979A2 |
Способ определения параметров решетки поликристаллических материалов | 1987 |
|
SU1436036A1 |
Рентгенотопографический способ выявления дефектов структуры кристаллов | 1989 |
|
SU1651173A1 |
Способ определения структурных искажений приповерхностных слоев совершенного монокристалла | 1988 |
|
SU1599732A1 |
Способ управления потоком коротковолнового электромагнитного излучения или медленных нейтронов | 1991 |
|
SU1778791A1 |
Способ определения электронной структуры поверхности твердого тела | 1986 |
|
SU1436037A1 |
Рентгенографический способ выявления дефектов структуры кристаллов | 1984 |
|
SU1226209A1 |
Устройство для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев | 1985 |
|
SU1396023A2 |
Способ определения упругой деформации в эпитаксиальных системах | 1980 |
|
SU1081490A1 |
Устройство для исследования структурного совершенства тонких приповерхностных слоев монокристаллов | 1983 |
|
SU1173278A1 |
Изобретение относится к электронно-лучевым методам анализа твердотельных объектов и может быть использовано для определения термодинамических характеристик решетки твердого тела, в частности коэффициента температурного расширения. Цель изобретения - упрощение способа измерения. В способе дифракции медленных электронов измеряют зависимость тока поглощенных образцом электронов от энергии пучка электронов. В измеренном спектре выделяют экстремумы, соответствующие брэгговским рефлексам. Изменяют температуру образца на величину ΔТ и измеряют энергетический сдвиг ΔЕ указанных экстремумов. Далее вычисляют искомую величину по формуле α = -ΔЕ/2ΔТ.Eп, где Eп - исходная энергия пучка медленных электронов. 1 ил.
5 J
Редактор Л.Гратшшо
Составитель В.Рыбалко
Техред М.ДидыкКорректор Д.Бескид
Заказ 3451
Тираж 494
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКИТ СССР 113035, Москва, Ж-35 Раушская наб., д. 4/5
Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина, 10
г 7 S
Подписное
Нестеренко Б.А | |||
и др | |||
Физические свойства атомночистой поверхности полупроводников | |||
Киев: Наукова думка, 1983, с | |||
Железнодорожный снегоочиститель | 1920 |
|
SU264A1 |
Авторы
Даты
1990-11-07—Публикация
1988-07-06—Подача