Токопроводящая композиция Советский патент 1990 года по МПК H01B1/22 

1

(21)4637211/24-07

(22)12.01.89. : (46) 07.12.90. Бюл. № 45

(72) А. Мс Комашко, М. Ф. Стецюк, М. Г. Гуревич, В. С. Шриро, Л. Я. Мошинский, В. А. Терёшкин, И. И Халявин, Л. Н. Сонина и 3. А. Зубкова

(53)621.315(088.8)

(56)Авторское свидетельство СССР № 1098441, кл. Н 01 В 1/22, 1987.

(54)ТОКОПРОВОДЯЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ

(57)Изобретекие относится к электротехнике, в частности к токопроводя- щим композициям на основе эпоксидных полимеров. Цель изобретения - повышение надежности изделий на основе композиции путем повышения электропроводности и технологичности благодаря снижению температуры отверждения. То- копроводящую композицию, содержащую 100 мае.ч. диглицедилового эфира по-- лиэпихлоргидрина, 22-28 мае«ч. крезил- глицидилового эфира, 28-35 мае.ч. эвтектической смеси м-фенилендиамина и диаминодифенилметана, стабилизирован - ную эпоксидным соединением, и порошок карлонильного никеля, модифицированного 1% сосновой канифоли, наносят через сетчатьй трафарет на стеклотекстолит и отверждают при 140 С в те чеиие 2ч. Отверлу енная композиция имеет удельное .объемное сопротивление (3,0- 4,3).см. 2 табл.

о

(О

Изобретение относится к электротехнике, в частности к токопроводящим композициям на основе эпоксидных полимеров. Цель изобретения - повышение надежности изделий на основе композиции путем повышения электропроводности и технологичности благодаря снижению температуры отверждения. Токопроводящую композицию, содержащую 100 мас.ч. диглицедилового эфира полиэпихлоргидрина, 22 - 28 мас.ч. крезилглицидилового эфира, 28 - 35 мас.ч. эвтектической смеси м-фенилендиамина и диаминодифенилметана, стабилизированную эпоксидным соединением, и порошок карлонильного никеля, модифицированного 1% сосновой канифоли, наносят через сетчатый трафарет на стеклотекстолит и отверждают при 140°С в течение 3-х ч. Отвержденная композиция имеет удельное объемное сопротивление (3,0 - 4,3) ^. 10^-3 Ом^.см. 2 табл.

Изобретение относится к токопро- водящим композициям на основе эпоксидных полимер о.в и может -найти применение для изготовления односторон- Ных печатных плат бытовой радиоаппаратуры сеткографическим методом.

Цель изобретения - повышение на - дежности изделий на основе композиции путем увеличения электропроводности и технологичности лутем снижения температуры отверждения.

Композицию готовят следующим образом.

Растворяют 5 мае.ч. сосновой канифоли марки А в ацетоне (1%-ньй раствор) , обрабатывают этим раствором 500 мае.ч. порошка никелевого карбо- нипьного ПНК-15Л и сушат. В смесь 1QO мае.ч. диглицидилового эфира по-

(Л С

лизпихлоргидрина и 22 мае,ч. крезил- глицидилового эфира добавляют небольшими порциями модифицированный порошок никеля и перемешивают в ультразвуковом диспергаторе, постепенно добавляя оставшееся количество порошка. К полученной смеси добавляем 28 мае,ч, отвердителя У11-0638 (эвтектическая .смесь м-фенилендиамина и диаминодифенилметана, стабилизированная эпоксидным соединением) и снова смесь перемешивают. Приготовленная паста Haiio- сится через сетчатьй трафарет на сте- клотекетолит и отверждается в термошкафу при 140°С в течение 3ч.

Состав эпоксидных токопроводящих композиций приведен в табл I. Свойства композиций приведены в табл. 2.

05

CD

ДнгякцкдиловИй 100 . .,

100 100 ,00-. .00- ,00 100 too 100 100 100100 ,00 ,00 100 ,00

Крёз1и1глнця.рдшовый эфнр 22 24

Отвердитель УП-063В

Порошок 1Шке- левый карбс- вяльный, мр- диФицироБан- ньй 1Z сосновой каки фоли

Порошок ннке левьзй харбсг шшьный

28 28 30 35

24 24 24 24

23 22 28 28 21

29

28 35 30 30 30

35

28 30 . 30 30

24 27

24 2А 36 30

100 100 100 - 24 30

г 100

г - -

30 30 30

,305 3,В.-320И S,SH5,.,1303 .0,,, 303.0 520.1 30S 520., 3.., З-3.1 3,5.1 3,5.1 4.0.1 S30.0 ЗгЗ., - Я.И

- 515,1 LJIU

Таблице 2

Свойства KoMrtosHtma

if. Ub ,,U. W .« 1« «0 « .W r« I O UO 1.0 ..0 40 1.0 t« UO

Удельное объемное

элехтрячгское co .- .-о

щютивленкес DM г. я см tj при (iO+sf с после воэдеПстзмя тгнперйтуры (851 2)С 2А ч

-(&Oi2)C 2 ч

ЛОСЛС ПСП15ТаП 1Й

па цнЕЛЯЧЕСкое- воэдепствке vcnno- parypJ cepKitee sRH EiiTUi } пгаейбё эиаченкс --i;40ii)C (кол-1ю цтшоя 3)

Прочность йа ОТ рыв контоктнмя площадок п-тояу;--ДЫО 11 к ОСйоаапню. К- 3it кенее я основанию ия стеклотгкстоЛП701

. . J.O 3.. 3,9 «,, 3.2 3,:7 3,« 3.0 3 4И В,Э ,9 9., 9. .5 5. 5В g

.., 3.2 .. 3., М 3.3 з„в 3,s ,;. ... .И S.6 3,3 ,.з ,.. э.1 Л .. ||

4,4 3.. 3.. З.В 4.23.3 ..9 М 3. - - «

IS g

u

u g

100100 ,00 ,00 100 ,00

28 28 21

29

28 30 . 30 30

24 27

24 2А 36 30

100 100 100 - 24 30

г 100

г - -

30 30 30

ISO

.p

.5

.

9,6

u

u g

(гО±2) С61 ftS 6Т 7 63 М «Э 67 ТО Я 68 58 60 59 61 60 Н

70 65 57 61 59 60 «t X 5

at (26(}:)C в

tneinn 10 с61 М 6 П 60 62 63 67

Продолжение табл. 2

58 35