| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МНОГОУРОВНЕВЫХ ПЛАТ ДЛЯ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И МИКРОСБОРОК | 2011 |
|
RU2459314C1 |
| Многослойная коммутационная плата СВЧ-гибридной интегральной микросхемы космического назначения и способ её получения (варианты) | 2019 |
|
RU2715412C1 |
| Способ формирования плат микроструктурных устройств со сквозными металлизированными отверстиями на монокристаллических кремниевых подложках | 2018 |
|
RU2676240C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ | 2004 |
|
RU2264676C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОПЛАТ С МНОГОУРОВНЕВОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ КОММУТАЦИЕЙ | 2009 |
|
RU2398369C1 |
| Способ изготовления СВЧ-гибридной интегральной микросхемы космического назначения с многоуровневой коммутацией | 2019 |
|
RU2713572C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ МИКРОСХЕМЫ | 1991 |
|
RU2040131C1 |
| МНОГОСЛОЙНАЯ КОМБИНИРОВАННАЯ ПЛАТА ГИС И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2016 |
|
RU2629714C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ УЗЛОВ | 2014 |
|
RU2575641C2 |
| Способ формирования объемного рисунка межсоединений | 2015 |
|
RU2647879C2 |
Способ изготовления двухуровневой тонкопленочной коммутационной платы, включающий формирование топологического рисунка первого электропроводного слоя и межслойной изоляции, травление переходных отверстий, формирование топологического рисунка второго электропроводного слоя, формирование защитного диэлектрика, вскрытие контактных отверстий и обслуживание, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения надежности платы путем исключения коротких замыканий между топологическими рисунками двух уровней, контактные площадки электропроводных слоев размещают с взаимным перекрытием не менее, чем на удвоенную толщину межслойной изоляции, переходные отверстия выполняют в зоне частичного перекрытия контактных площадок, а травление переходных отверстий выполняют одновременно после формирования защитного диэлектрика.
