Способ контроля однородности и величины дозы ионной имплантации Советский патент 1991 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано пля контроля малых доз ионной имплантации примеси.

Цель изобретения - расширение диапазона измерений доз в область малых доз и упрощение способа.

Пример I. На кремниевую пластину диаметром 100 мм наносят электронный резист, для которого была построена характеристическая зависимость d/do-f(D), где d .-- толщина оставшегося после проявления слоя резиста; do - его исходная толщина; D -доза имплантации, по которой для указанного резнста ,005 мкКл/см. а ,1 мкКл/см2, где Д, - пороговая (минимальная) доза, при которой начинаются радиационно-химические процессы сши- - вання или деструкции резиста, а доза, вызывающая полное радиационно-хнми- ческое превращение резиста. Контролировался процесс имлантааии ноноо бора дозой 0,005 мкКл/см.

На кремниевую пластину наносят слой резиста толщиной 0,4 мкм. После процесса имплантации ионов бора к проявления резиста измерением на микроинтерферометре МИИ-4 находят толщину оставшегося слоя резиста 0,04 мкм. По характеристической кривой определяют дозу имплантации ионов бора 0,005 мкКл/см2.

В качестве резиста можно использовать также фоторезисты.

Пример 2. На установке ионной имплантации сВезувий-13 контролируют однородность дозы нмплантнрованной примеси. Для этого была произведена имплантация ионами бора дозой 0,05 мкКл/см2 в лпс полупроводниковые пластины с нанесенном реэистом толщиной 0,4 мкм. После, проявления на одной пластине резнет имел роно

00 Ю Ю Ю

ный оранжевый цвет, Мто соответствует толщине резнста 0,22 Мкм и дозе 0.05 мкКл/см. Ма пластине реэист имел переменную в вертикальном направление цистность: желтый - в верхней части, ора.нжсвый - в центре и красноватый - в нижней части пластины. Различные цветовые оттенки ясно указывают на его разную толщину {0,20-0,24 мкм) и соответственно на плохую однородность дозы (0,04-0,06 мкКл/см2).

Формула изобретения

Спо соб контроля однородности н величины дозы ионной имплантации примеси, включающий нанесение на подложку йонно- Чувствительного покрытия, ионную имплантацию примеси в подложку н определение величины и однородности дозы имплантации, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерений в область малых доз. и упрощения способа, в качестве ион нечувствительного покрытия исвшн зуют резнет с параметрами, щнми условию

удовлетворяю0

5

0

«ХОмм

где Опф - минимальная доза (пороговая), при которой начинают происходить радиационно-хнмические процессы сшивания или деструкции резиста;

Дмие-доза примеси, вызывающая полное радиационно-химическое превращение резиста;

В - доза легирования, наносят его слой исходной толщины do на полупроводниковую подложку, осуществляют ионную имплантацию, проявляют резист, определяют толщину rf оставшегося слоя резчста, а величину дозы имплантации и ее однородность определяют по характеристической зависимости .толщины d резиста или «I/do от

,дозы имплантации.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых прноорэв н используется для ионной имплянтацни. Цель изобретения - расширение диапазона измерений в область малых доз н упрощение способа. Сущность предлагаемого изобретения заключается в том, что на полупроводниковую подложку наносят слой ионночув- .ствнтельного резиста с параметрами, соответствующими условию D«#i- D / M«, где - минимальная доза (пороговая), при которой начинают происходить радиацнонно- химические процессы сшивания или деструкции резиста; DMHK - доза примеси, вызывающая полное радиационно-химическое превращение резиста, проводят имплантацию, после имплантации примеси резнет проявляют н контролируют точность к однородность дозы по толщине оставшегося после проявления слоя резиста. Ј