Полупроводниковый штыревой прибор Советский патент 1991 года по МПК H01L23/00 

Изобретение относится к полупровод- ш ому приборостроению и может быть г,почзппдно при конструировании силовых полупроводниковых приборов штыревого г 1пэ с прижимными контактами.

Цель изобретения - повышение надеж,с зл счет увеличения воздушного зазо -.-, ч-j основанием и силовым выводом и

-г X гппгичНОСТИ.

мертеже представлен полупроводни i прибор.

1 рибор состоит из основания 1 с припа- -, фпанцем, на котором размещен пороводниковый элемент 2, внутреннего

о вывода 3 с расположенным внутри -п внутренним управляющим выводом 4, . втулки 5 под механизм 6 при- г«а, которая является изолирующей де- i- it-io между анодом и катодом и / повременно центрирует внутренний вы- иод по отношению к выпрямительному эле- монгу. Втулка имеет форму цилиндра со сг/пемчатым увеличением диаметра. Все /iew ,1 полупроводникового прибора по- г с-цечн в герметичный керамический корпус, оканчивающийся хвостовиком, t сттрый является катодом и служит для пе- Г е,,ачи постоя иного тока с прибора вовнеш- гч; п цепь.

Прибор работает следующим образом.

la анод прибора подается переменное г: г.лжение из внешней цепи. При подаче положительного импульса на управляющий пь.оод 4 прибор из закрытого состояния переходит в открытое и пропускает положительную полуволну анодного тока в прямом направлении, С катодного вывода выпрямленный ток передается во внешнюю цепь.

Изолирующая втулка изготовлена из эпоксиреактопласта и может изготавливаться литьем под давлением или прямым прессованием.

Конструкция втулки обеспечивает расположение управляющего вывода строго в центре зоны управления полупроводникового элемента, что повышает стабильность электрических параметров полупроводниковых приборов. Использование изобретения снижает себестоимость прибора за счет исключения слюдяной прокладки, керамической шайбы, изоляционной трубки. Простота конструкции уменьшит трудоемкость

изготовления приборов.

Формула изобретения Полупроводниковый штыревой прибор, содержащий медное шестигранное основание с цилиндрической контактной поверхностью, на которой размещен анодной стороной полупроводниковый элемент, силовой цилиндрический вывод с кольцевым выступом, соединенный с катодной частью

полупроводникового элемента, центрирующий и изолирующий диски и цилиндр, установленные соосно на кольцевом выступе силового вывода, пружину, размещенные в корпусе, отличающийся тем, что, с

целью повышения надежности за счет увеличения воздушного зазора между основанием и силовым выводом и технологичности, центрирующий и изолирующий диски и цилиндр выполнены в виде трехступенчатой

втулки из эпоксиреактопласта, причем высота первой ступени втулки выбрана равной 0,9-1,0 мм, второй ступени - 1-1,3 мм и третьей ступени - 10-10,5 мм.

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при конструировании силовых полупроводниковых приборов штыревого типа и с прижимными контактами. Цель изобретения - повышение надежности путем увеличения воздушного зазора между