СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ИОНОВ ТРЕХВАЛЕНТНОГО ХРОМА В РУБИНЕ Советский патент 1964 года по МПК G01N27/72 

Описание патента на изобретение SU163785A1

Изобретение относится к магнитным способам определения концентрации парамагнитных ионов в кристалле, в частности к магнитному способу определения ионов трехвалентного хрома, входящих в кристалл рубина.

Известен магнитный способ определения концентрации парамагнитных ионов хрома в рубине при гелиевых температурах, основанный на измерении магнитной восприимчивости. Однако известный способ не позволяет определять концентрацию только ионов трехвалентного хрома, изоморфно входящих в кристаллическую решетку рубина.

Предложен способ, по которому концентрацию изоморфно входящих в решетку рубина ионов трехвалентного хрома определяют измерением крутящих моментов, действующих на монокристалл рубина произвольной геометрической формы в однородном магнитном поле, и по величине их судят о температурной зависимости анизотропии, связанной с абсолютной концентрацией изомерных ионов трехвалентного хрома.

Для измерения крутящего момента (/С) применяют торсионные магнитные весы, аналогичные описанным ранее (см. авт. св. № 131519).

В стеклянной трубе У на подвесе из фосфористой бронзы 2 с упругой постоянной Y 0,4 дин см/рад крепится кварцевая нить диаметром 0,5 мм. В верхней ее части подклеивается шеллаком легкий полый алюминиевый цилиндр 3, находящийся во вращающемся поле, создаваемом двумя парами катушек 4 (LI - Li на фиг. 2). Эта нить несет на себе также зеркальце 5, алюминиевое

колечко 6, демпферный алюминиевый цилиндр 7. К нижнему концу кварцевой нити подклеивается клеем БФ-2 образец монокристаллического рубина. Подвесная система арретируется при опускании стержня 8. Трубы /

заполняется теплообменным гелием, осуществляющим тепловой контакт образца с гелиевой ванной. Давление теплообменного гелия составляет 0,5--1 мм рт. ст. при комнатной

температуре.

Свет от осветителя 9, модулированный вращающимся перфорированным диском с частотой около 6 кгц, отражается от зеркальца 5 и попадает на фотоэлементы 10. Переменное

напряжение на нагрузочных сопротивлениях фотоэлементов, пропорциональное освещенности каждого из них, усиливается до мощности двухканальным усилителем. Выходное напряжение этих усилителей подается в ка

Похожие патенты SU163785A1

название год авторы номер документа
Устройство для измерения магнитной восприимчивости слабомагнитных материалов 1986
  • Цмоць Владимир Михайлович
  • Войтусик Мечислав Юлианович
  • Мельник Василий Михайлович
  • Штым Владимир Степанович
SU1383240A1
Способ измерения времени электронной спиц-решеточной релаксации 1989
  • Хасанов Альберт Хусаинович
  • Шакиров Эдуард Евгеньевич
SU1728753A1
Способ локального определения концентрации окрашивающей примеси в кристаллах 1980
  • Белая Александра Николаевна
  • Добровинская Елена Рувимовна
  • Литвинов Леонид Аркадьевич
SU872976A1
СПОСОБ КАЛИБРОВКИ СПЕКТРОМЕТРА ЭЛЕКТРОННОГО ПАРАМАГНИТНОГО РЕЗОНАНСА И КАЛИБРОВОЧНЫЙ ОБРАЗЕЦ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2009
  • Бадалян Андрей Гагикович
  • Бабунц Роман Андреевич
  • Баранов Павел Георгиевич
  • Романов Николай Георгиевич
RU2394230C1
Способ измерения высоких давлений при низких температурах и устройство для его осуществления 1982
  • Дорошев Валентин Давидович
  • Ковтун Николай Моисеевич
  • Молчанов Александр Николаевич
SU1048384A1
Способ определения структурного совершенства кристаллов 1986
  • Мейльман Михаил Леонидович
  • Бершов Леонид Викторович
  • Ганеев Ирек Гилязетдинович
  • Кувшинова Калерия Александровна
  • Слицан Михаил Соломонович
SU1437752A1
Оптическая наностеклокерамика с ионами хрома 2017
  • Никоноров Николай Валентинович
  • Цехомский Виктор Алексеевич
  • Зырянова Ксения Сергеевна
  • Горбачев Андрей Дмитриевич
  • Степанов Сергей Алексеевич
RU2658109C1
Гольмий-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением 2016
  • Романова Оксана Борисовна
  • Аплеснин Сергей Степанович
  • Ситников Максим Николаевич
RU2629058C1
ОПТИЧЕСКАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ГАЛОГЕНИДА КАДМИЯ-ЦЕЗИЯ CsCdBr, СОДЕРЖАЩЕГО ПРИМЕСНЫЕ ИОНЫ ОДНОВАЛЕНТНОГО ВИСМУТА, СПОСОБНАЯ К ШИРОКОПОЛОСНОЙ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В БЛИЖНЕМ ИК ДИАПАЗОНЕ, И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2015
  • Романов Алексей Николаевич
  • Хаула Елена Валерьевна
  • Корчак Владимир Николаевич
  • Втюрина Дарья Николаевна
  • Фаттахова Зухра Тимуровна
RU2600359C1
Оптическая среда на основе кристалла галогенида рубидия-иттрия RbYCl, содержащего примесные ионы одновалентного висмута, способная к широкополосной фотолюминесценции в ближнем ИК-диапазоне, и способ ее получения 2016
  • Романов Алексей Николаевич
  • Хаула Елена Валерьевна
  • Корчак Владимир Николаевич
  • Втюрина Дарья Николаевна
  • Фаттахова Зухра Тимуровна
RU2618276C1

Реферат патента 1964 года СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ИОНОВ ТРЕХВАЛЕНТНОГО ХРОМА В РУБИНЕ

Формула изобретения SU 163 785 A1

SU 163 785 A1

Авторы

Б. К. Севасть Нов В. И. Байбаков

Даты

1964-01-01Публикация