Устройство для жидкофазной эпитаксии Советский патент 1991 года по МПК C30B19/06 

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению.

Цель изобретения - получение

рельефной структуры эпитаксиальных слоев.

На фиг. 1 представлено устройство для жидкофазной эпитаксии, разрез; на фиг. 2 - устройство, дополнительный поршень которого на рабочей поверхности имеет участки с различным типом рельефов.

Устройство содержит контейнер 1 с емкостями 2 для исходных растворов- расплавов. Под контейнером 1 в корпусе 3 размещены поршневая камера 4, снабженная поршнем 5, и камера 6 роста, соединенная каналом 7 с поршневой камерой 4. Камера 6 роста снабжена дополнительным поршнем 8, имеющим рельефную рабочую поверхность 9. Под дополнительным поршнем 8 размещена подложка 10, установленная на подвижной подставке И.

Устройство работает следунщим образом.

Подложку 10 размещают на подвижной подставке 11 и устанавливают необходимую величину зазора 12 между подложкой 10 и рабочей поверхностью 9 поршня 8. Величину зазора 12 получают перемещением подвижной подставки 1 1 , в качестве которой используют , например, винт. Затем загружают емкости 2 исходными растворами-расплавами. Устройство нагревают до температуры гомогенизации расплава и после выдержки охлаждают до температуры начала эпитаксии. При этом поршень 8 при помощи штока 13 поднимают, заполняют раствором-расплавом камеру 6 роста через канал 7, поршень 8 опускают. На поверхности подложки 10 создают

Од СО 00,

to

оо

слой раствора-расплава переменной толщины в соответствии с рельефной поверхностью 9 поршня 8. Производят наращивание пленки.

Для получения пленок с различным рельефом и различными электрическими свойствами импользуют поршень 8, имеющий участки с различным типом рельефов (фиг. 2). Например, дополни- тельный поршень 8 имеет два участка, один из которых содержит углубления круглой формы, а второй - квадратной. При этом диаметр дополнительного поршня 8 равен по крайней мере двум диа- метрам подложки.

Пленки получают следующим образом.

Поршень 8 поднимают, заполняют камеру 6 роста расплавом с примесью n-типа, поршень 8 опускают до упора и производят наращивание пленки п-типа с рельефной поверхностью. Затем поршень 8 поднимают, камеру 6 роста промывают расплавом с примесью р-типа Для этого из емкости 2 подают раст- вор-расплав р-типа в поршневую камеру 4 и через канал 7 - в камеру 6 роста. Затем поршень 8 поворачивают вокруг оси так, чтобы над подложкой разместить второй участок рельефной поверх-

ности 9 с квадратными углублениями. Поршень 8 опускают и производят наращивание пленок р-типа. Затем поршень 8 поднимают, расплав удаляют.

Устройство позволяет уменьшить трудоемкость изготовления полупроводниковых приборов и увеличить выход годных

Формула изобретения

1.Устройство для жидкофазной эпи- таксии, содержащее контейнер с емкостью для раствора-расплава, снабженной поршнем и соединенной каналом с камерой роста, и подложку, установленную на подвижной подставке в камере роста отличающееся тем, что, с целью получения рельефной структуры эпитаксиальных слоев, камера роста снабжена дополнительным поршнем, установленным над подложкой и имеющим рельефную рабочую поверхность.

2.Устройство по п. 1„ о т л и - чающее с я тем, что дополнительный поршень имеет на рабочей поверхности участки с различным типом рельефов и диаметр дополнительного поршня равен по крайней мере двум диаметрам подложки.

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев. Устройство содержит емкости для расплавов, поршневую камеру и соединенную с ней кана- лхж камеру роста с подложкой. Отличие изобретения СОСТОИТЕ том,что камера роста снабжена дополнительным поршнем. Поршень установлен над подложкой и имеет рельефную рабочую поверхность. Для получения пленок с различной рельефной поверхностью в одном технологическом цикле дополнительный поршень имеет участки с различным типом рельефов. При этом диаметр дополнительного поршня равен по крайней мере двум диаметрам подложки. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.

Фиг.1

/3

ппп &iu&

л/ / ///////// / ///.

////////// У////f

--.Ш

Фиг 2

11

Слиб