Способ получения слоев S @ или G @ , легированных летучей примесью Советский патент 1991 года по МПК C30B19/06 C30B29/06 C30B29/08 

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью.

Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления.

Пример 1. В качестве исходных источника и подложки используют пластины Si марки КЭФ 20 диаметром 76 мм, ориентированные в направлении |100|. По окружности периферийной области пластины-источника с помощью химического травления выделяют бортик высотой 50 мкм и шириной 2 мм. Собирают композицию, совмещая подложку с бортиком источника. Композицию устанавливают в графитовую

кассету Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 90 мае % Sn и 10 мае % TI2 массой 2,1 г Кассету помещают в реактор печи Реактор герметизируют и заполняют гелием Печь нагревают до температуры расплавления навески Расплав под действием капиллярных сил заполняет зазор между кремниевыми пластинами Толщина сформированной зоны раствора- расплава в центральной области диаметром 72 мм составляет 52-53 мкм. Толщина периферийной области зоны раствора-расплава равна 2-3 мкм Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300°С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном . Перекристаллизацию источника осуществляют в течение 40 мин

о

4 О

ю кэ о

Полученный элитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления (7,8 Ом см) по площади центральной области, диаметр которой составляет 72 мм.

Пример 2. Процесс получения слоя осуществляют аналогично примеру 1. Однако в качестве подложки используют кремни- евую пластину марки КДБ 10, а на пластине-источнике выделяют бортик высотой 35 мкм. Масса навески сплава, содержащего 97 мас.% Sn и 3 мас.% Sb, составляет 1,7 г. Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 39-40 мкм, а в периферийной 4-5 мкм.

Полученный эпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления (4,7 10 Ом см) по площади центральной области, диаметр которой составляет 72 мм.

Пример 3. В качестве исходных источника и подложки используют пластины Ge марки ГДСЗ-1014 диаметром 40 мм, ориентированных в направлении (111). По окружности периферийной области пластины источника с помощью химического травления выделяют бортик высотой 40 мкм и шириной 2 мм. Собирают композицию, совмещая подложку с бортиком источника. Композицию устанавливают в графитовую кассету. Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 97 мас.% Sn

0

5

и 3 мас.% Sb, массой 0,4 г. Кассету помещают в реактор печи. Реактор герметизируют и заполняют гелием. Печь нагревают до температуры расплавления навески. Расплав под действием капиллярных сил заполняет зазор между пластинами Ge. Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 42-43 мкм, а в периферийной 2-3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 800°С, при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластин и равном 8°С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в течение 40 мин.

Полученный эпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления по площади центральной области, диаметр которой составляет 36 мм.

0

Формула изобретения Способ получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Si

5 или Ge зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, отличающийся тем, что, с

0 целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2-5 мкм.

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области мкм и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры Способ обеспечивает получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления