Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью.
Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления.
Пример 1. В качестве исходных источника и подложки используют пластины Si марки КЭФ 20 диаметром 76 мм, ориентированные в направлении |100|. По окружности периферийной области пластины-источника с помощью химического травления выделяют бортик высотой 50 мкм и шириной 2 мм. Собирают композицию, совмещая подложку с бортиком источника. Композицию устанавливают в графитовую
кассету Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 90 мае % Sn и 10 мае % TI2 массой 2,1 г Кассету помещают в реактор печи Реактор герметизируют и заполняют гелием Печь нагревают до температуры расплавления навески Расплав под действием капиллярных сил заполняет зазор между кремниевыми пластинами Толщина сформированной зоны раствора- расплава в центральной области диаметром 72 мм составляет 52-53 мкм. Толщина периферийной области зоны раствора-расплава равна 2-3 мкм Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300°С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном . Перекристаллизацию источника осуществляют в течение 40 мин
о
4 О
ю кэ о
Полученный элитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления (7,8 Ом см) по площади центральной области, диаметр которой составляет 72 мм.
Пример 2. Процесс получения слоя осуществляют аналогично примеру 1. Однако в качестве подложки используют кремни- евую пластину марки КДБ 10, а на пластине-источнике выделяют бортик высотой 35 мкм. Масса навески сплава, содержащего 97 мас.% Sn и 3 мас.% Sb, составляет 1,7 г. Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 39-40 мкм, а в периферийной 4-5 мкм.
Полученный эпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления (4,7 10 Ом см) по площади центральной области, диаметр которой составляет 72 мм.
Пример 3. В качестве исходных источника и подложки используют пластины Ge марки ГДСЗ-1014 диаметром 40 мм, ориентированных в направлении (111). По окружности периферийной области пластины источника с помощью химического травления выделяют бортик высотой 40 мкм и шириной 2 мм. Собирают композицию, совмещая подложку с бортиком источника. Композицию устанавливают в графитовую кассету. Рядом с композицией размещают навеску сплава, содержащего 97 мас.% Sn
0
5
и 3 мас.% Sb, массой 0,4 г. Кассету помещают в реактор печи. Реактор герметизируют и заполняют гелием. Печь нагревают до температуры расплавления навески. Расплав под действием капиллярных сил заполняет зазор между пластинами Ge. Толщина сформированной зоны раствора-расплава в центральной области составляет 42-43 мкм, а в периферийной 2-3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 800°С, при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластин и равном 8°С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в течение 40 мин.
Полученный эпитаксиальный слой имеет толщину 1 мкм и равномерное распределение удельного сопротивления по площади центральной области, диаметр которой составляет 36 мм.
0
Формула изобретения Способ получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Si
5 или Ge зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, отличающийся тем, что, с
0 целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2-5 мкм.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1989 |
|
SU1589918A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | 1991 |
|
RU2026895C1 |
| Способ получения эпитаксиальных слоев кремния | 1988 |
|
SU1604870A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-AlGaAs МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ | 2020 |
|
RU2744350C1 |
| СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ СТРУКТУР ДЛЯ ПРИБОРОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ, СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ТАКИХ СТРУКТУР И РЕЗИСТИВНЫЙ ИСТОЧНИК ПАРОВ НАПЫЛЯЕМОГО МАТЕРИАЛА И ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ УКАЗАННОГО СПОСОБА РЕГУЛИРОВАНИЯ, А ТАКЖЕ ОСНОВАННЫЙ НА ИСПОЛЬЗОВАНИИ ЭТОГО ИСТОЧНИКА ПАРОВ СПОСОБ НАПЫЛЕНИЯ В ВАКУУМЕ КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СТРУКТУР | 2012 |
|
RU2511279C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА К n-GaAs | 2009 |
|
RU2407104C1 |
| КОНТАКТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА | 2008 |
|
RU2491683C2 |
| Способ изготовления полупроводниковых структур | 1979 |
|
SU774476A1 |
| Способ получения кремниевой структуры | 1989 |
|
SU1686041A1 |
| СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ | 1988 |
|
SU1559970A1 |
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области мкм и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры Способ обеспечивает получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления
| Лозовский В Н., Лунин Л.С., Попов В П Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов | |||
| - М.; Металлургия, 1987, 232 с |
