Способ изготовления емкостного датчика давления Советский патент 1991 года по МПК G01L9/12 

tc.,2.

kt0 .+ V (u ArtuH- kt0)2 + 2к д4мик ( t0) + fleUw:(t«A«- to)

где

Ag ae--Дана

I Нале-I MUM.

Формула изобретения

Способ изготовления емкостного датчика давления, заключающийся в формировании двух диэлектрических оснований, одно из которых выполнено с мембраной, нанесении на них в вакууме тонкопленочных электродов, жестком закреплении оснований в корпусе, последующем создании в корпусе рабочего вакуума и герметизации корпуса, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности датчика при повышенных температурах, перед нанесением электродов ваку- умируют диэлектрические основания до более глубокого, по сравнению с рабочим, вакуума, нагревают диэлектрические основания до температуры, превышающей максимальную рабочую температуру, выдерживают

диэлектрические основания при этой температуре и вакууме, снижают температуру до величины, определяемой соотношением:

f .ftlUi(ttUM-t0)+AaHltK(tHIM-t0) с-7/t77

2Accc

0

5

где t0 - IMHH -

0

температура нормальных климатических условий; минимальная температура рабочего диапазона температур при эксплуатации;

то же, максимальная температура;

разность температурных коэффициентов линейного расширения электродов и соответственно диэлектрического основания при температуре /Nu

АаМАЙЕ- то же, при температуре 1№к Дас - то же, при температуре

а затем проводят нанесение электродов при

этой температуре.

НАКС.- Aartw-

Изобретение относится к измерительной технике. Целью изобретения является повышение надежности при повышенных температурах и расширение температурного диапазона за счет уменьшения вздутия тонкопленочных электродов вследствие устранения перепада давления от газовыделения при повышенных температурах эксплуатации и за счет устранения отслоений электродов вследствие повышения равномерности распределения термодеформаций между электродами и диэлектрическими основаниями внутри рабочего диапазона температур. Способ заключается в формировании диэлектрических оснований 1 и 2, нанесения на них в вакууме тонкопленочных электродов 3, жестком закреплении диэлектрических оснований, вакуумировании и герметизации. При этом перед нанесением электродов 3 вакуумируют основания 1,2 до более глубокого по сравнению с рабочим при эксплуатации вакууме, нагревают основания 1,2 до температуры, превышающей максимальную рабочую температуру, выдерживают основания 1,2 до температуры, превышающей максимальную рабо чую температуру, выдерживают основания 1,2 при воздействии температуры и вакуума, снижают температуру оснований 1,2 до величины, определяемой по соотношению, приведенному в тексте описания, и проводят нанесение электродов при этой температуре. 1 ил. Ј (Л