Емкостный датчик давления и способ его изготовления и градуировки Советский патент 1993 года по МПК G01L9/12 

Описание патента на изобретение SU1812459A1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в датчиках для измерения статического и динамического давления в широком диапазоне температур.

Целью изобретения является уменьшение температурной погрешности за счет возможности учета температуры мембраны и опорного основания непосредственно в месте расположения электродов.

Согласно изобретению в емкостном датчике давления, содержащем корпус, мембрану с жестким центром и опорным основанием, и преобразователь перемещения в виде двух пар противолежащих электродов с контактными площадками, первая из которых расположена по центру мембраны и диска, а вторая - в опорном основании и периферии диска, электроды, расположенные на мембране и опорном основании, выполнены в виде последовательно соединенных перемычками между собой и с дополнительными контактными площадками резистивных полос из материала, температурный коэффициент сопротивления которого не равен нулю, а резистивные полосы размещены концентрично центру мембраны.

В способе изготовления и градуировки емкостного датчика давления, заключающемся в формировании электродов на мембране, опорном основании и диска, закреплении диска на опорном основании, воздействии температурой и давлением, электроды на мембране и опорном основании формируют в виде тонкопленочных терморезисторов, а при градуировке измеряют электрическое сопротивление каждого электрода и емкость каждой пары электродов, подвергают датчик воздействию температуры в рабочем диапазоне температур с выдержкой при фиксированных температурах внутри и на границе рабочего диапазона температур до прекращения изменения сопротивления электродов, воздействуют на датчик градуировочным давлением для каждой фиксированной температуры и регистрируют значения сопротивлений электродов и емкостей каждого пары электродов в виде матриц градуировочных значений давления при различных температурах.

Выполнение электродов, расположенных на мембране и опорном основании в виде последовательно соединенных перемычками между собой и дополнительными контактными площадками резистивных полос, позволяет повысить сопротивления электродов на 1-2 порядка по сравнению с традиционным выполнением электродов, сопротивление которых не превышает десятых долей Ома, что не позволяет измерять с приемлемой точностью изменения сопротивлений электродов в реальных условиях эксплуатации. Резистивные полосы выполнены из материала, температурный коэффициент сопротивления которого не равен .нулю тик, как в противном случае изменения сопротивлений электродов от температуры будут также равны нулю. Для большей чувствительности к температуре необходимо, чтобы ТКС материала электрода был максимальным. Расположение резистивных полос концентрично центру мембраны

позволяет получить максимальное значение сопротивления электродов при сохранении необходимого значения их емкости за счет оптимального использования площади размещения электродов. Измерение электри0 ческого сопротивления каждого электрода и емкостей каждой пары электродов при фиксированных температурах внутри и на границе рабочего диапазона температур при отсутствии и воздействии измеряемого дав5 ления позволяет сформировать матрицу значений емкостей электродов, однозначно связанных с их сопротивлениями, а, следовательно, и воздействующей температурой. Выдержка при фиксированной температуре

0 до прекращения изменения сопротивления обеспечивает более точное соответствие между сопротивлением электрода и воздействующей температурой.

На фиг. 1 изображен предлагаемый ем5 костный датчик давления; на фиг.,2 - топология электродов, размещенных на мембране и опорном основании.

Соотношения между размерами межэлектродного зазора, толщин электродов и

0 размерами других элементов конструкции для наглядности изменены. Емкостный датчик давления содержит корпус 1, мембрану 2 с жестким центром 3 и опорным основанием 4, диск 5, закрепленный с зазором на

5 опорном основании, и преобразователь деформаций в виде двух пар противолежащих электродов с контактными площадками 6, первая из которых 7 расположена по центру мембраны и диска; а вторая 8 - на опорном

0 основании и периферии диска. Электроды, расположенные на мембране и опорном основании, выполнены в виде последовательно соединенных перемычками 9 между собой и дополнительными контактными

5 площадками 10 резистивных полос 11 из материала, температурный коэффициент сопротивления которого,не равен нулю, а резистивные полосы размещены концентрично центру мембраны. При небольшой

0 скорости изменения температуры измеряемой среды достаточно выполнение только одного из электродов в риде резистивных полос, например электрода, расположенного на опорном основании. Мембрана, опор5 мое основание и диск выполнены из сплава 70НХБМЮ. На поверхности мембраны с опорным основанием и диска нанесена диэлектрическая пленка в виде композиции АЬОз-ЗЮа. Электроды выполнены в виде композиции Mo-N((,8 -10 3°C 1).

Способ реализуется следующим образом. Методами тонкопленочной технологии Формируют электроды на мембране, опорном основании и диске. Присоединяют выводные проводники 12 к основным и дополнительным контактным площадкам электродов, Закрепляют диск на опорном основании, например, при помощи лазерной сварки. Присоединяют выводные проводники к гермоконтактам 13. Вакуумируют и герметизируют корпус. Измеряют электрическое сопротивление каждого электрода. Сопротивление электрода, расположенного на мембране, измеряют между основной контактной площадкой 6 и дополнительной контактной площадкой 10. Сопротивление электрода, расположенного на опорном основании, измеряют между его основной контактной площадкой 6 и дополнительной контактной площадкой 10 в нормальных климатических условиях (температура равна +25°С). Измеряют емкости электродов каждой пары в нормальных климатических условиях (температура +25°С). Подвергают датчик воздействию температуры в рабочем диапазоне температур с выдержкой при фиксированных температурах внутри и на границе рабочего диапазона температур. Рабочий диапазон температур в нашем случае от минус 50 до +400°С. Выбирают фиксированные температуры минус 50°С, 0°С, +50°С, -МОО°С, 150°С, +200°С,+250°С,300°С,350°С,400°С. При каждой фиксированной температуре без воздействия и при воздействии измеряемого давления выдерживают датчик до прекращения изменения сопротивления электродов. Прекращение изменения сопротивления электродов говорит об установившемся процессе восприятия температуры электродом, Регистрируют значения сопротивления электродов и емкость каждой пары электродов. Процесс регистрации и задания температуры сравнительно просто поддается автоматизации. Регистрация может проводиться как на бумажных, так и не на бумажных носителях. Таким образом, для каждого датчика получают матрицу значений сопротивлений и емкостей электродов при различных температурах и давлениях. Имея такую матрицу, потребителю сравнительно несложно учесть температуру реальных условий эксплуатации датчика. При этом могут быть использованы как автоматические, например, при помощи микропроцессоров, так и неавтоматические методы обработки. Для устранения взаимного влияния процессов измерений сопротивлений и емкостей возможно применение временной или другой селекции сигналов.

Емкостный датчик давления работает следующим образом. Под воздействием из- 5 меряемого давления на мембрану датчика, жесткий центр мембраны, а, следовательно, и расположенный в области жесткого центра подвижный электрод первой пары перемещается в направлении неподвижного

0 электрода, В результате этого межэлектродный зазор этой пары электродов уменьшается, а его емкость соответственно увеличивается. Емкость второй пары электродов не зависит от измеряемого давления

5 вследствие сравнительно массивного опорного основания. Сопротивление электродов от давления не зависит вследствие расположения электродов на жестком центре и опорном основании. Значения емкостей

0 первой и второй пар электродов через контактные площадки, выводные проводники 12 и гермоконтакты 13 передаются на нормирующее устройство (фиг. 1, 2 не показано), которое формирует выходной- сигнал,

5 зависящий от отношения емкостей второй и первой пар электродов, а,следовательно, и от измеряемого давления.

При воздействии на датчик реальной температуры эксплуатации емкости элект0 родов первой и второй пар электродов ме- няются неодинаково. В силу этого появляется температурная погрешность. Сопротивление электродов изменяется в соответствии с их температурой, т.е. темпе5 ратуре электродов соответствует вполне оп- ределенное значение сопротивления электродов. Поэтому в заявляемом решении можно учесть температурную погрешность, так как при воздействии реальной темпера0 туры эксплуатации сопротивление электродов однозначно связано с их температурой. Т.е. по значению сопротивления электродов можно оценить их реальную температуру и минимизировать температурную погреш5 ность. Причем по значению сопротивления электродов первой и второй пар, расположенных соответственно по центру мембраны и опорном основании, можно определить и разность температур в центре

0 мембраны и на опорном основании, т.е. можно вводить динамическую поправку, учитывающую нестационарную температуру измеряемой среды. Под нестационарной температурой понимается температура

5 эксплуатации, меняющаяся в течение времени.

Температурная погрешность в диапазоне температур от минус 50°С до +400°С емкостного датчика давления в соответствии с предлагаемым решением составляет 2 -10

. Температурная погрешность в диапазоне температур от минус 50 до +400°С известного емкостного датчика давления составляет 2 . Таким образом, технико-экономическим преимуществом заявляемого решения, по сравнению с прототипом, является уменьшение, примерно на порядок, температурной погрешности в широком диапазоне температур за счет учета температуры мембраны и опорного основания непосредственно в месте расположения электродов..

Преимуществом заявляемого решения является также возможность уменьшения погрешности от воздействия нестационарной температуры вследствие учета неравномерности распределения температур на мембране и опорном основании.

Фор мул а изобретения 1. Ёмкостный датчик давления, содержащий корпус, мембрану с жестким центром и опорным основанием, диск, закрепленный с зазором на опорном основании, и преобразователь перемещения в виде двух пар противолежащих электродов с контактными площадками, первая из которых расположена по центру мембраны и диска, а вторая - на опорном основании и периферии диска, отличающийс я тем, что, с целью формирования термозависимого сигнала для учета температур электродов преобразователя перемещений в условиях воздействия нестационарных температур на датчик, в нем электроды, расположенные на мембране и опорном основании, выполнены в виде последовательно соединенных перемычками между собой и с дополнительными контактными площадками резистив- ных полос из материала, температурный коэффициент сопротивления которого не равен нулю, а резистивные полосы размещены концентрично центру мембраны.

2. Способ изготовления и градуировки

емкостного датчика давления, заключающийся в формировании электродов на мембране, опорном основании и диске, закреплении диска на опорном основании, воздействии температурой и давлением, о тличзющийся тем, что, с целью уменьшения температурной погрешности датчика при измерениях в широком диапазоне температур, электроды на мембране и опорном основании формируют в виде тонкопленочныхтерморезисторов, а при градуировке измеряют электрическое сопротивление каждого электрода и емкость каждой пары электродов, подвергают датчик воздействию температуры в рабочем диапазоне температур с выдержкой при фиксированных температурах внутри и на границе рабочего диапазона температур до прекращения изменения сопротивления электродов, воздействуют на датчик градуировочным

давлением для каждой фиксированной температуры и регистрируют значения сопротивлений электродов и емкостей каждой пары электродов в виде матриц градуиро- вочных значений давления при различных

температурах.

&HZ.Z

Похожие патенты SU1812459A1

название год авторы номер документа
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2004
  • Мокров Е.А.
  • Белозубов Е.М.
  • Тихомиров Д.В.
RU2261420C1
Емкостной датчик давления 1990
  • Белозубов Евгений Михайлович
SU1739225A1
Устройство для измерения давления 1990
  • Мокров Евгений Алексеевич
  • Белозубов Евгений Михайлович
SU1755074A1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2023
  • Полунин Владимир Святославович
  • Шараева Вера Петровна
  • Козлова Наталья Анатольевна
  • Козлова Юлия Александровна
RU2805781C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2011
  • Полунин Владимир Святославович
  • Шараева Вера Петровна
  • Вологина Валентина Николаевна
  • Купоросова Наталья Ивановна
  • Моисеева Светлана Борисовна
RU2464538C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ И НАДЕЖНОСТИ 2012
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Хованов Дмитрий Михайлович
RU2480723C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ И ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ НА ЕГО ОСНОВЕ 2009
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2398195C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ ПОВЫШЕННОЙ ТОЧНОСТИ НА ОСНОВЕ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ С ТОНКОПЛЕНОЧНЫМИ ТЕНЗОРЕЗИСТОРАМИ 2010
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Чернов Павел Сергеевич
RU2411474C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ С ВИБРОУСТОЙЧИВОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМОЙ 2010
  • Белозубов Евгений Михайлович
  • Белозубова Нина Евгеньевна
  • Васильев Валерий Анатольевич
RU2432556C1
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 1991
  • Белозубов Е.М.
RU2010197C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 812 459 A1

Реферат патента 1993 года Емкостный датчик давления и способ его изготовления и градуировки

Изобретение относится к измеритель- . ной технике и может быть использовано для измерения давления в широком диапазоне температур. Цель: формирование термозависимого сигнала для учета температур электродов преобразователя перемещений мембраны в условиях воздействия нестационарных температур на емкостный датчик давления. Сущность изобретения: в емкостном датчике давления, содержащем корпус, мембрану с жестким центром, опорным основанием, диск, закрепленный с зазором относительно мембраны, преобразователь деформаций в виде двух пар противолежащих электродов с контактными площадками, первая из которых расположена по центру мембраны и диска, а вторая - на опорном основании и периферии диска, 2 электроды, расположенные на мембране и опорном основании, выполнены в виде последовательно соединённых перемычками между собой и с дополнительными контактными площадками резистивных полос из материала, температурный коэффициент сопротивления которого не равен нулю, а резистивные полосы размещены концент- рично центру мембраны. В способе изготовления и градуировки емкостного датчика давления, заключающемся в формировании электродов на мембране, опорном основании и диске, закреплении диска на опорном основании, воздействии температурой и давлением, измеряют электрическое сопротивление каждого электрода между основной и дополнительной контактными площадками, измеряют емкость каждой пары электродов, подвергают датчик воздействию температуры в рабочем диапазоне температур с выдержкой до прекращения изменения сопротивления электродов, воздействуют на датчик градуировочным давлением для каждой фиксированной температуры и регистрируют значения сопротивлений электродов и емкостей каждой пары электродов в виде матриц градуиро- вочных значений давления при различных температурах. Положительный эффект: уменьшение температурной погрешности датчика при измерениях в широком диапазоне температур в том числе, при воздействии нестационарной температуры. 2 с.п.: ф-лы, 2 ил. (Л с со го -N ся чэ

Формула изобретения SU 1 812 459 A1

SU 1 812 459 A1

Авторы

Белозубов Евгений Михайлович

Даты

1993-04-30Публикация

1990-05-21Подача