Способ получения электрофотографического носителя Советский патент 1984 года по МПК G03G5/82 

:О :л со :о

Изобретение относится к области электроЛотографии и может быть использовано в производстве материалов для копировсшьной техники, микрофильмирования, голографии, аэрокосмической съемки. .

Известен способ получения электро фотографического носителя, включающий вакуумное термическое напыление фотопроводникового слоя переменного состава из раздельных емкостей для селена и теллура на движущуюся в направлении от емкости для селена к емкости для теллура электропроводящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала С 13 .

Надостатком известного способа получения электрофотографического носителя является недостаточно высокая светочувствительность электрофотографического носителя в спектральной области 550-700 нм.

Целью изобретения является повышение светочувствительности электрофотографического носителя.

Для достижения поставленной цели согласно способу получения электрофотографического носителя, включающему вакуумное термическое напыление фотопроводникового слоя переменного состава из раздельных емкостей для селена и теллура на движущуюся в направлении от емкости для селена к емкости для теллура электропроводягдую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала, после нанесе|Ния фотопроводникового слоя переменiHoro состава осуществляют повторное вакуумное термическое напыление второго фотопроводникового слоя переменного состава при электропровс1Дящей подложки в обратном направлении, причем первый слой фотопроводника напыляют при 35-65°С, а второй - при 20-30°С.

Кроме того, концентрацию теллура в конденсирукяцихся на фотоносителе парах изменяют от 0,01-20 ат. % в направлении от емкости для селена к емкости для теллура.

Толщина каждого слоя составляет 0,05-0,5 мКм. Поверх инжекционного слоя наносят транспортирующий слой, содержащий поливинилкарбазол, полиэпоксипропилкарбазол или другие органические полупроводники с пластифицирующими и сенсибилизирующими (но не обязательно) добавками.

Пример 1. В камеру вакуумной установки, содержащую устройство для перемотки подложки в виде ленты, нагреватель подложки, два алундовых испарителя, удаленных друг от друга на расстояние 80 мм, а от подложки на -150 мм, помещают лавсановую ленту -- подложку, покрытую слоем никеля, в один из испарителей помещают селен,в другой - теллур. Между испарителями размещают экран, предотвращаюа ий их от взаимного загрязнения. Зону конденсации ограничивают с помощью подвижных экранов на расстоянии 30 мм по отношению к нормали от источника селена и теллура к подложке так, что ее длина составляет 140 мм.

Камеру откачивают до 510 мм рт.ст., подложку нагревают до 45°С, испаритель селена нагревают до 340° испаритель теллура до 4бО°С. При этом содержание теллура в конденсирующихся па подложку парах изменяется от 0,01 до 20 ат. % в направлении от источника селена к источнику теллура и наносят поверх слоя никеля первый слой Se-Te толщиной 0,1 мкм. Затем подложку охлаждают до 20-30С и при перемещении ее в направлении от источника теллура к источнику селена наносят второй слой Se-Te, при этом содержание теллура в конденсирующихся парах в направлении движения изменяют от 20 до 0,01%. Поверх нанесенных слоев методом полива из раствора наносят слой полиэпоксипропилкарбазола. После высыхания на воздухе его толщина составляет 2 мкм.

Поверхность изготовленного образца заряжают в темноте до отрицательного потенциала 200 В. Скорость фотоиндуцированного спада потенциала измеряют при экспонировании монохроматическим светом в спектральном диапазоне 550-700 нм. Светочувствительность оценивается по величине экспозиции, которая приводит к снижению потенциала до 0,9 начальной величины.

Пример 2. Экран со стороны селена, ,ограничиваю1ций зону напыления, смещают в сторону источника теллура на 50 мм, а экран со стороны теллура - в сторону источника селена на 40 мм.

В условиях примера 1 изготавливают и испытывают образец материала с содержанием теллура, изменяютцимся от 3 до 5 ат.% в первом слое и от 5 до 3 ат. % во втором.

Пример 3. Экраны со стороны селена и теллура смещают в сторону источников на 20 мм относительно их начального положения по примеру 1. В условиях примера 1 изготавливают образец материала с содержанием теллура, изменяющимся от 0,3 до 10 ат. % в первом слое и от 10 до 0,3 ат, % во втором. Испытания проводят в условиях примера 1.,

Пример 4 . Изготавливают ; и испытывают образец материала, как и

в примере 1, но температуру подложки при нанесении первого слоя поддерживают равной 35°С.

Пример 5, Изготавливают и испытывают образец материала, как в примере 1, но температуру подложки при нанесении первого слоя поддерживают равной 65°С.

Пример 6. Изготавливают и испытывают образец материала (контрольный ) в условиях примера 3, но наносят только один (первый) слой селена с примесью теллура, Результаты испытаний образцов материала по примерам 1-6 приведены в таблице .

).СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ, включгиощий вакуумное термическое напыление фотопроводниконого слоя переменного состава из раздельных емкостей для селена и теллура на движущуюся в направлении от емкости для селена к емкости для теллура электропроводящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала, отличающийся тем, что, с целью повышения светочувствительности, после нанесения фотопроводникового слоя переменного состава осуществляют повторное вакуумное термическое напыление второго фотопроводникового слоя переменного состава при движении электропроводящей подложки в обратном направлении, причем первый слой фотопроводника напыляют при 35-65°С, а второй - при 20-30°С. 2. Способ по п.1, отличающий с я тем, что концентрацию теллура в конденсирующихся на фотоно(Л сителе парах изменгпот отО,1-2бат.% в направлении от емкости для селена к емкости для теллура.

Светочувствительность, м Пример

1 2 3 4 5

б контрольный

Нижняя граница содержания теллура определяется требованиями по светочувствительности, верхняя возрастанием скорости темнового спада потенциала. Нижняя граница температуры подложки - требованиями

2,0

20 4

50 30 80 30 70 20 0,5 2,5

25 5 0,5

20 3,5 2,5

по светочувствительности, верхняя кристаллизацией наносимого слоя.

Таким образом,, предлагаемый способ получения электрофотографического носителя позволяет существенно

повысить светочувствительность. /Дж, на селенах волн, им