Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, а именно ниобата бария-стронция.
Цель изобретения - улучшение качества поверхности ниобата барил- стронция в виде пленки на кремниевой подложке.
При изготовлении устройств на их основе необходимо стравливать толстые слои, так как слои ниобата бария-стронция проявляют сегнетоэлек- трические свойства при толщинах л 2-3 мкм.
Травнтель, используемый для снятия указанных слоен, содержит,об.%:
Фтористоводородную кислоту25-80
Соляную кислоту 10-35 Серную кислоту 10-50 Для экспериментальной проверки предлагаемого состава приготовляют смеси, которые получают смешиванием указанных ингредиентов. Травление осуществляют в следующей последовательности.
1) Приготовление травитепя. Сначала в выбранных соотношениях смешивают серную, фтористо-водородную кислоты, потом постепенно добавляют соляную кислоту. Полученный раствор постепенно доводят до требуемой температуры 20 - 60°С.
ОЭ
0S
Јь О -NJ
2)Травление. Подготовленную для бработки пластину выкладывают в ткрытый фторопластовый стакан, заивают слоем травителя толщиной 1 - см и при перемешивании выдержиают в течение времени предвари ельно определенного по контрольному бразцу.
3)Прекращение травления. По окончании необходимого времени образец вынимают из травителя, тщательно промывают под струей деиониэованной воды с обеих сторон.
А) Сушка. Тщательно отмытую пластину, сушат либо под струей осушенного возду&а или инертного газа,либо центрифугированием.
Приме р. Пластину монокрис- талличес.кого кремния с сформированным слоем ниобата барил-стронция высушивают до постоянного веса на мик- роаналнтнческих весах с точностью (5-ЧО), травят в HF : НС1 : : по приведенной выше методике. Снова взвешивают и по убили в весе рассчитывают среди to скорость травления
UP
где Утр - .скорость травления,мкм/мин АР - потеря в весе, rj
d - плотность растворяемого вещества, г/см3, равная, в частности,5, 4 S - площадь образца, t.- время травления, мин. Подбор травителя осуществляют таким обраарм, чтобы скорость травле- пия не была ниже 0,1-0,2 мкм/мин и на поверхности не оставалось налета.
5
С
5
С
5
В таблице приведены значения скорости растворения слоев ниобата бария-стронция для различных соотношений компонентов. Травлению подвергали пленки ниобата бария-стронция, полученные методом ВЧ-плазменного распыления, толщиной 1-2 мкм.
Из таблицы видно, что скорость травления в травнтелпх, содержащих большое количество серной кислоты, чрезвычайно низка, а при малом со- . держании соляной кислоты на поверхности остается нерастворимый налет, содержащий, как показал рентгеновский микроанализ, повышенное количество бария и стронция по сравнению с исходным образцом.
Другие отклонения содержания крй- понентов за граничные пределы не дают положительных результатов.
Предлагаемый травитель вписывается в маршрут изготовления, так как монокристаллический и полйкристал- лчческий кремний не травятся о этом травителе.
Формула изобретения
Травитель для ниобата бария-стронция, содержащий фтористоводородную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности ниобата бария-стронция в виде пленки на кремниевой подложке, он дополнительно содержит сер ную и соляную кислоты при следующем соотношении компонентов, об.2:
Фтористоводородная
40 кислота25-80
Соляная кислота10-35
Серная кислота 10-50
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СЕЛЕКТИВНЫЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ТИТАНАТА БАРИЯ | 2017 |
|
RU2674118C1 |
| Способ изготовления МДП-интегральных схем | 1980 |
|
SU928953A1 |
| СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ | 1993 |
|
RU2065640C1 |
| Травитель для выявления дислокаций в кремнии на плоскости (100) | 1980 |
|
SU947233A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МАТРИЦ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭКРАНОВ | 1994 |
|
RU2069417C1 |
| Способ изготовления больших интегральных схем на МДП-транзисторах | 1977 |
|
SU670019A1 |
| Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин | 2020 |
|
RU2750315C1 |
| Способ селективного травления кремний-металлосодержащего слоя в многослойных структурах | 1990 |
|
SU1819356A3 |
| Способ выявления микроструктурыКЕРАМиКи | 1979 |
|
SU814971A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ | 1983 |
|
SU1108966A1 |
Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковой технологии, и может быть использовано для стравливания слоев сегнетоэлектриков, конкретно ниобата бария-стронция. Цель изобретения улучшение качества поверхности ниобата бария-стронция в виде пленки на кремниевой подложке. Для этого используется травитель, содержащий фтористоводородную (HF)j серную (H2S04) и соляную (НС1) кислоты при следующем соотношении компонентов, об.%: HF 25-80; НС1 10-35; . 10-50. Травлению подвергались пленки ниобата бария-стронция, полученные методом ВЧ-плазмеиного распыления, толщиной 1-2 мкм. Травление проводится при 20-60°С со скоростью не ниже 0,1-0,2 мкм/мин. Монокристаллический кремний и полн- кристаллический кремний, на которых сформирован слой ниобата бария-стронция, при этом .не травятся. 1 табл. Ш СЛ
800,4 Зерен осадка нет, 10чистая поверх10ность
850,2 Зерен 0,3-0,6 мкм 5на площади 10
| Ito Y., Furuhata J., Dislocation etch pits in strontium - barium nio- bate | |||
| Phys status solidi(a), 1974, 23, 9 1, 147-153. |
