Способ измерения магнитных характеристик доменосодержащих пленок Советский патент 1991 года по МПК G01R33/05 

длительность импульсов в 1,2-1,5 раза превышает длительность импульсов магнитного поля, направленного параллельно плоскости пленки, Устройство, реализующее способ содержит источник 1 света, оптическую систему 2 в виде поляризационного

микроскопа, магнитную систему 3 в виде катушек Гельмгольца 4 и катушек Гельм- гольца 5, доменосодержащую пленку 6, телевизионную передающую камеру 7, блок 8 анализа и импульсный источник 9 тока.2 ил.

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей за счет одновременного измерения поля одноосной анизотропии - достигается тем, что одновременно воздействуют импульсами магнитного поля, направленными параллельно плоскости 5 -V пленки, циклически создают и разрушают ими решетку цилиндрических магнитных доменов до регистрации минимальной амплитуды магнитного поля, достаточной для создания упомянутой решетки, определяют минимальную амплитуду магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, достаточную для разрушения цилиндрических магнитных доменов, начальные амплитуды обоих воздействующих на пленку полей задают равными половине максимально возможных значений измеряемых полей, изменяют амплитуды воздействующих полей по закону последовательного приближения. Амплитуду импульсов магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, воздействующих синхронно с импульсами магнитного поля, направляемого параллельно плоскости пленки выбирают равной 0,5-0,7 минимально возможного значения поля коллапса, а С XI VI О со о

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД),

Цель способа - расширение функциональных возможностей за счет одновременного измерения поля одноосной анизотропии.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе измерения, заключающемся в воздействии на доменосодержащую пленку импульсами магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, и анализе в паузах между ними состояния доменной структуры, анализируют состояние доменной структуры, в случае лабиринтной доменной структуры в доменосодержащей пленке создают решетку ЦМД, для чего на нее воздействуют импульсами магнитного поля, направленного параллельно плоскости пленки, амплитуду которых Нп изменяют по закону последовательного приближения, причем увеличивают ее, если после воздейст- вия импульса сохраняется лабиринтная доменная структура и уменьшают, если образуется решетка ЦМД, а амплитуда первого импульса равна половине максимально

возможного значения Hi

- 1 н Пп

- п макс. иДнооременно с этими импульсами на домено- содержащую пленку воздействуют синхронными с ними, но превышающими по длительности в 1,2-1,5 раза, импульсами маг- нитного поля постоянной амплитуды равной 0,5-0,7 от минимально возможного значения поля коллапса, направленного перпендикулярно плоскости пленки. После образования решетки ЦМД разрушают ее, для чего на доменосодержащую пленку воздействуют импульсами магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, амплитуду которых Н макс изменяют по закону последовательного приближе- ния, причем увеличивают ее, если после воздействия импульса сохраняется решетка ЦМД, и уменьшают, если она разрушается. Амплитуда первого импульса равна половине максимально возможного значения Hi1 2 Н макс. В случае, если первоначально

доменная структура представляла собой решетку 1ДМД, то процесс измерения начнется с разрушения решетки ЦМД импульсами магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки. Циклически повторяют процесс образования и разрушения решетки ЦМД до тех пор, пока с необходимой точностью не определят минимальную амплитуду магнитного поля, на- правленного параллельно плоскости пленки, достаточную для образования решетки ЦМД, по которой судят о напряженности поля одноосной анизотропии и минимальную амплитуду магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, достаточную для разрушения решетки ЦМД, по которой судят о напряженности поля коллапса.

На фиг, 1 представлены временные диаграммы изменения поля, направленного параллельно плоскости пленки Н1 и направленного перпендикулярно плоскости пленки Н1; на фиг. 2 - схема устройства для измерения напряженностей поля коллапса и поля одноосной анизотропии.

В процессе измерения амплитуду магнитного поля, воздействующую на пленку, направленного параллельно ее плоскости и направленного перпендикулярно плоскости пленки изменяют соответственно, как:

н 2П

НИ - U ч Ч- u 1if

п - пп-1 - г п макс И

Hm - Hm-1 - 7Jf7 макс,

где п, т 1, 2,... - количество импульсов магнитного поля, воздействовавших на пленку параллельно и перпендикулярно плоскости пленки соответственно.

Устройство, реализующее предлагаемый способ содержит источник 1 .света, оптическую систему 2 в виде поляризационного микроскопа, магнитную систему 3 в виде катушек Гельмгольца 4, для создания магнитного поля, направленного параллельно плоскости пленки, и катушек Гельмгольца 5, для создания магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, доменосодержащую пленку 6. телевизионную передающую камеру 7, блок 8 анализа и импульсный источник 9 тока.

Работа устройства, реализующего заявляемый способ, сводится к следующему.

Увеличенное изображение доменной структуры пленки 6, сформированное с помощью источника 1 света и оптической системы 2, поступает на вход телевизионной передающей камеры 7, где световой сигнал преобразуется в видеоимпульсы, которые поступают в блок 8 анализа, на котором происходит анализ доменной структуры на наличие или отсутствие ЦМД, определение амплитуды и направления воздействующего на пленку магнитного поля, создаваемого с помощью источника 9 тока в катушках Гельмголыда 4 и 5 магнитной системы 3, и фиксация полей коллапса и анизотропии.

Формула изобретения Способ измерения магнитных характеристик доменосодержащих пленок, основанный на воздействии на пленку импульсами магнитного поля, направленными перпендикулярно плоскости пленки, и фиксации состояния доменной структуры в паузах между импульсами, отличающийся

тем, что, с целью расширения функциональных возможностей за счет определения поля магнитной одноосной анизотропии, одновременно воздействуют импульсами магнитного поля, направленными параллельно плоскости пленки, циклически создают и разрушают ими решетку цилиндрических магнитных доменов до регистрации минимальной амплитуды магнитного поля, достаточной для создания упомянутой решетки, определяют минимальную амплитуду магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, достаточную для разрушения решетки цилиндрических магнитных доменов, начальные величины

амплитуды обоих воздействующих на пленку полей задают равными половине максимально возможных значений измеряемых полей, изменяют амплитуды воздействующих полей по закону последовательного приближения, при этом амплитуда импульсов магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки, воздействующих синхронно с импульсами магнитного поля, направленного

параллельно плоскости пленки, выбрано равной 0,5-0,7 минимально возможного значения поля коллапса, а длительность импульсов в 1,2-1,5 раза превышает длительность импульсов магнитного поля, направленного параллельно тоскости пленки,

//

НтУК

У/

Hr -b-fff a)(.

-5$«

Н f I, ffmQX

.±л

#

Я5- -ДТУ/иэс

L ft

.гн

Ню

Hi

пил

о

фиг Л