Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминакю.их устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен способ формирования решетки ЦМД/ основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитным полем в плоскости пленки, большим поля анизотропии пленки/ с последующим введением магнитного поля, направленного перпендикулярно плоскости пленки Ч

Недостатком этого способа является необходимость иметь громоздкий магнит для создания в плоскости пленки магнитного поляпорядка нескольких кЭ, что накладывает ограничение на применение этого способа в ЗУ на решетках.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ формирования -решетки ЦМД, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнитным полем смещения и импульсным магнитным полек.

После смещения вначале возрастает так, что одна полярность полосковых доменов сжимается в узкий домен в форме нити. Затем прикладывается, с помощью катушки, импульсное поле и разбивает эти узкие нитевидные домены на ряд ЦМД 2 .

Недостатком этого способа является существование фокусирующего эффектаУне позволяющего создать решетку в виде параллелограмма, которая преимущественно используется при создании накопителей. Однако этот фоку10сирукиций эффект можно отрегулировать, варьируя расстояние между плоскостью катушки и плоскостью пленки, но при этом снижается надежность в виду того, что необходимость обес15печить достаточно высокую степень параллельности плоскости катушки и плоскости пленки, а также подобрать оптимальное расстояние между пленкой и катушкой. Кроме того, возрастают за20траты времени на формирование решетки, так как оптимальное расстояние для каикдых катушки и магнитной пленки необходимо подбирать опытным путем.

25

Цель изобретения - упрощение и ускорение формирования решетки ЦИД.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе Формирования решетки ЦМД воздействуют на 30 доменосодержащую пленку одновременно постоянным магнитным полем смещения равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллельным постоянному магнитному полю смещения причем амплитуда импульсов градиентного магнитного поля в заданных участках доменосодержащей пленки больше величины поля зародылеобразования доменов, и последовательно сни жают постоянное магнитное поле смещения до величины, меньшей поля колinanca ЦМД, но большейполя зародьвмео разования доменов, и далее до величи ны поля зародышеобразования доменов и уменьшают одновременно амплитуду импульсов градиентного магнитного поля до нуля. На фиг.1 изображена доменосодержащая пленка с образованной решеткой 1Щ|| на фиг.2 приведена зависимость плотности решетки a/d, где а - расстояние между центрами ЦМДг d - диаметр ЦМД, от длительности t воздействия импульсного градиентно-г го магнитного поля. Формирование, реше.тки ЦМД в -соответствии с предлагаемым способом осу ществляется следующим образом. К доменосодержащей пленке прикла.дывают постоянное магнитное поле смещения где Hg - поле насыщения магнитной пленки. Одновременно в проводник 1, который либо наносится непосредственно н пленку, либо на стеклянную пластинку прикладываемую к пленке, подаются прямоугольные импульсы тока. Если необходимо создать решетку ЦМД в области 2 пленки, находящейся на расстоянии а от проводника 1 (), .то полярность импульсов должна быть такой, чтобы импульсное магнитное по ле Ну,,д,,, , создаваемое проводником 1 в области 2, было антипараллельно полю смещения Н, Амплитуда импульсов тока должна быть достаточной для создания на расстоянии а от проводника иг пульсного магнитного поля. где Н о - поле зародышеобразования. Затем поле смещения снижается до ве личины , гяе Н J, - поле коллапса ЦМД в данной пленке. При этом в области 2 образуется регулярная решетка 1ЩЦ, плотность которой пропорциональная длительности воздействия импульсного градиентного магнитного поля. После этого поле смещается до величины (j, а амплитуда импульсного градиентного магнитного поля до 0. Если в поле смещения была сформирована достаточно плотная решетка, то она будет устойчивой при дальнейшем снижении поля смещения,: вплоть до 0. Технико-экономические преимущества предложенного способа заключаются в значительном упрощении существующих устройств формирования решеток ЦМД, в ускорении процесса формирования, в возможности регулирования плотности решетки в процессе формирования, а также в значительном снижении энергоемкости устройств, использующих решетки 1ЩД. Формула изобретения Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку постоянным магнктньм полем смещения и импульснь® магнитньм полем, о. т личающийся тем, что, с целью упрощения и ускорения формиро- , вания решетки щ линдрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержаад5то пленку одновременно постоянным магнитным полем смещения, равным полю насыщения доменосодержащей пленки, и импульсным градиентным магнитным полем, антипараллель- ным постоянному магнитному полю смещения, причем ш-щлитуда импульсов градиентного магнитного поля в згщан-. ных участках докеносодержащей пленки больше величины поля зародкшеобразованик доменов, и последовательно снижают постоянное магнитное поле смещения до величины, меньшей поля коллапса цилиндрического магнитного домена, но большей поля зародышеобразо-т вания доменов, и далее до величины поля зародышеобразовавия доменов и уменьшают одновременно амплитуду импульсов градиентного магнитного поля до нуля. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1,Патент США № 4052710, кл. 346-174, опублик. 1979. 2.. Magn., v. 27, 1973, p.569 .(прототип).

гд

Z.2

i.1

SIff ,еек

Фut.i