Способ измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1986 года по МПК G11C11/14 

мент коллапса, что.облегчает анализ доменной структуры при уменьшении размеров доменов. При увеличении амплитуды внешнего поля измеряется

f

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в процессе производства запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

(цмд).

Цель.изобретения - повышение точности измерения напряженности поля коллапса ЦМД.

На фиг. I изображена временная диаграмма импульсного магнитного поля; на фиг. 2 - схема устройс,тва для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, реализующего предлагаемый способ.

.Способ осуществляется следующим образом.

В доменосодержащей пленке образую решетку ЦМД путем воздействия параллельной плоскости составляющей магнитного поля. Затем на пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направление которого нормально плоскости пленки, а амплитуда изменяется от нуля до Hj (фиг. Г).. Амплитуда импульса Н. нарастает от импульса к импульсу по стутРенчатому закону. Длительность импульса t значительно превьппает время коллапсирования доменов, В паузах длительностью t между импульсами магнитного поля проводят анализ решетки ЦМД. В случае, если сколлапсировал цилиндрический домен при HY , то после снятия поля один из соседних доменов в решетке растягивается в полосовой, занимая освободившийся объем пленки. Ширина полосовых доменов в нулевом магнитном поле в 4-6 раз превьш1ает диаметр ЦМД в момент коллапса, что облегчает анализ доменной структуры при уменьшени размеров доменов. При увеличении ам- алитуды внешнего поля измеряется поле, при котором сколлапсировал один или несколько первых доменов, и поле при котором сколлапсировали последполе, при котором сколлапсировали последние цилиндрические домены. Таким образом, определяется диапазон полей коллапса. 2 ил.

ние ЦМД. Таким образом, определяется диапазон полей коллапса.

Устройство, реализующее предлагаемый способ (фиг. 2), содержит импульсный источник 1 тока, источник 2 света, магнитную систему 3 в виде катушек Гешьмгольца, доменосодержащую пленку 4, телевизионную передающую камеру 5, оптическую систему 6 в виде поляризационного микроскопа и блок 7 анализа. .

Устройство работает следующим образом,,

С помощью источника 1 тока в ка- ,

тушках Гельмгольца 3 создается импульсное магнитное поле, которое воздействует на предварительно сформированную решетку ЦМД. Увеличенное изображение доменной структуры пленки 4, сформированное с помощью источника 2 света и оптической системы 6, поступает на вход телевизионной передающей камеры 5, где световой сигнал преобразуется в видеоимпульсы, которые поступают в блок 7 анализа. Последний производит анализ состояния доменной структуры на наличие полосо- доменов после каждого воздействия импульсного магнитного поля и фиксацию полей коллапса первых и последних 1;(МД„

Фо-рмула изобретения

Способ измерения напряженности поля квллапса цилиндрических магнитных доменов, основанный на формировании в доменосодержащей пленке решетки цилиндрических магнитных доменов,

отличающийся тем, что, с целью Г1овьш1ения точности измерения напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов, воздействуют на доменосодержащую пленку импульсным магнитным полем, направленным; перпендикулярно поверхности

доменосодержащей пленки, увеличивают его амплитуду по ступенчатому закону до разрушения решетки цилиндрических магнитных доменов, а в паузах между импульсами магнитного поля фик12447204

сируют появл-ение полосовых магнитных доменов, по которому судят .о величине напряженности поля коллапса цилиндрических магнитных доменов.

Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение точности измерения напряженности поля коллапса ЦМД. Для реализации предр Нт HI нг Hi ложенного способа в доменосоцержащей пленке образуют решетку цилиндрических доменов путем воздействия параллельной плоскости составляющей магнитного поля. Затем на пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направление которого нормально к плоскости пленки, а амплитуда изменяется от нуля до И,- . Амплитуда импульса Hi нарастает от импульса к импульсу по ступенчатому закону. Длительность импульса - значительно превышает время .коллапсирования доменов, В паузах длительностью t между импульсами магнитного поля проводят анализ решетки ци.пиндрических доменов. В случае, если сколлапсировал цилиндрический домен при Н., то после снятия поля один из соседних доменов в решетке растягивается в поло - совой, занимая освободившийся объем пленки. Ширина полосовых доменов в нулевом магнитном поле в 4-6 раз превышает диаметр цилиндрических в мо0 Р (Л С

Редактор И, Касарда

Составитель Ю. Розенталь

Техред И.Попович Корректор С. Шекмар

Заказ 3924/55Тираж 543Подписное

ВНИИПИ Государственного, комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35., Раушская наб., д, 4/5

.Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Фиг. 2