СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре Советский патент 1991 года по МПК H01P1/30 H01P1/215 H01P9/00 

Изобретение опюсигся к технике СВЧ и может быть использовано для создания термостабильных линий задержки, фильтров и резонаторов на магнитостатических волнах.

Целью изобретения является повышение термостабильности за счет создания в пленке иттриевого феррограната напряжения растяжения при температуре выше номинальной и напряжения сжатия при температуре ниже номинапьной.

На чертеже представлен СВЧ-элемснт на эпитаксиалыюй ферритовой структуре.

СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре содержит подложку 1, на одчой стороме которой размещена пленка 2 итгриевого феррограната, а на другой ее стороне закреплена термобиметаллическая

пластина 3. температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой с троны

СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.

При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1 - пленка 2. Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2: размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей

О 00

оо

ы

ю

частоты магнитостатической волны, распространяющейся в пленке 2. Однако, при изменении температуры термобиметаллическая пластина 3 изгибается и вызывает изгиб закрепленной на ней эпитаксиальной ферритовой структуры - подложки 1 и пленки 2. В результате за счет выбора температурного коэффициента расширения термобиметаллической пластины 3 со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой ее стороны в пленке 2 при повышении температуры возникает механическое напряжение растяжения, а при снижении температуры ниже номинальной - напряжение сжатия, создающие в пленке 2 дополнительное поле одноосной анизотропии, компенсирующее температурное смещение рабочей частоты.

Формула изобретения

СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре, содержащий подложку,

на одной стороне которой размещена пленка иттриевого феррограната, отличающийся тем, что, с целью повышения термостабильности за счет создания в пленке иттриевого феррограната напряжения

растяжения при температуре выше номинальной и напряжения сжатия при температуре ниже номинальной, в него введена термобиметаллическая пластина, которая закреплена на другой стороне подложки и

температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки больше температурного коэффициента расширения другой стороны.

}