Термостабильный вкладыш на эпитаксиальной ферритовой структуре для СВЧ-устройств Советский патент 1992 года по МПК H01P1/30 H01P1/32 

СП

С

Использование: в радиотехнической сверхвысокочастотных узлах, таких, как линии задержки, фильтры, резонаторы и т.д Сущность изобретения: пленка иттриевого феррограната размещена на поверхности диэлектрической подложки из галлий-гадо линиевого граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано для температурной стабилизации частоты СВЧ-элементов на эпитаксиальных ферритовых структурах линий задержки, фильтров резонаторов и

ДР.

С целью повышения временной стабильности параметров при упрощении конструкции термокомпенсирующий элемент образован диэлектрической подложкой и введенной пластиной диэлектрического материала, коэффициент температурного расширения материала диэлектрической подложки, при этом пластина жестко закреплена на другой поверхности диэлектрической подложки и формирует вместе с подложкой термодиэлектрическую структуру, обладающую низкой скоростью диффузии, а следовательно, и незначительными необратимыми изменениями формы с течением времени, создающую в эпитаксиаль

ной ферритовой пленке дополнительные упругие напряжения, компенсирующие за счет магнитоупругой связи тепловой уход рабочей частоты

На чертеже изображен общий вид.

Изобретение реализуется следующим образом. На подложке 1 из галлий-гадо- линиевого граната толщиной 500 мкм эпитаксиально выращена пленка 2 железо- иттриевого граната толщиной 15 мкм. на поверхности которой расположены антенны (возбуждающая и приемная) С противоположной стороны подложки 1 с помощью клея жестко закреплена диэлектрическая пластина 3 из кварцевого „текла Коэффициент теплового расширения ГГГ составляет 6, Коэффициент теплового расширения кварцевого стекла составляет О 585x10 5 °С 1 Размеры СВЧ-элемента составляют 4x12 мм Толщина кварцевой пластины обеспечивающая термокомпеь

-Ч

О

го

OJ

ел о

сацию рабочей частоты ГГц начального участка дисперсионной ветви ПМСВ и ООМСВ (режим касательного намагничивания) для пленки ЖИГ на подложке из ГГГ составляет 460 мкм.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я Термостабильный вкладыш на эпитак- сиальной ферритовой структуре для СВЧ- устройств, содержащий ферритовую пленку, размещенную на одной из поверхностей диэлектрической подложки, и термо- компенсирующий элемент, отличающий0

с я тем, что, с целью повышения временной стабильности параметров при упрощении конструкции, термокомпенсирующий элемент образован диэлектрической подложкой и введенной пластиной из диэлектрического материала, коэффициент температурного расширения которого меньше, чем коэффициент температурного расширения материала диэлектрической подложки, при этом пластина жестко закреплена на другой поверхности диэлектрической подложки.