Микросхема памяти Советский патент 1991 года по МПК G11C13/00 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяти с защитой от а-излучения.

Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти.

На чертеже представлена конструкция микросхемы, разрез.

Микросхема памяти содержит корпус 1, контактные выводы 2, полупроводниковый кристалл 3 с контактными площадками 4, соединительные проводники 5, крышку 6, уплотнительное кольцо 7, слой 8 кремний- органического соединения.

В процессе работы микросхемы а-частицы, испускаемые материалами корпуса и внешними источниками излучения, поглощаются кремнийорганическим слоем 8 и не попадают на поверхность кристалла 3 из-за низкой проникающей способности в компаундах (слое 8), т.е. интенсивного торможения о-частиц на их пути. Так как покрытие наносится на внутреннюю поверхность крышки 6 корпуса 1 и на свободную внутреннюю поверхность основания корпуса 1, то термомеханические напряжения в поверхностном слое полупроводникового кристалла 3 не возникают вследствие

отсутствия механического контакта между полупроводниковым кристаллом 3 и слоем 8 компаунда. Кроме того, выделяемая в процессе функционирования полупроводникового кристалла 3 памяти теплота за счет лучеиспускания свободно передается верхней части корпуса 1, что облегчает тепловой режим работы микросхемы.

Формула изобретения

Микросхема памяти, содержащая корпус, полупроводниковый кристалл с контактными площадками, расположенный на донной части корпуса, контактные выводы, закрепленные в корпусе, соединительные проводники, расположенные между контактными площадками полупроводникового

кристалла и контактными выводами, крышку корпуса, уплотнительное кольцо, расположенное между корпусом и крышкой корпуса, слой кремнийорганического соединения, отличающаяся тем, что, с целью

повышения надежности функционирования микросхемы памяти, слой кремнийорганического соединения расположен на внутренней поверхности крышки корпуса и внутренней поверхности корпуса.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяsfc XNKXN v XNCV CsX XXVNNXVsKXX 5 1 б I I I ХУУУЧЛ. СУ ч/Ч У ААХХХхЧЛХХх: / 8 4 ти с защитой от «-излучения. Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти. Поставленная цель достигается тем, что слой 8 кремнийорганического соединения расположен на внутренней поверхности крышки 6 корпуса 1 и внутренней поверхности корпуса 1. Такое расположение слоя 8 исключает термомеханические напряжения в поверхностном слое полупроводникового кристалла 3, т.к. отсутствует механический контакт между слоем 8 и полупроводниковым кристаллом 3. Кроме того, выделяемая кристаллом 3 теплота свободно передается верхней части корпуса 1 за счет лучеиспускания, что улучшает тепловой режим работы микросхемы. 1 ил. 5 1 б I I I Ё О ю 00 ю о J