Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику Советский патент 1992 года по МПК H01L21/66 

сл

с

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при - контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении. Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта. Сущность изобретения заключается в том, что к слою диоксида кремния толщиной 2 мкм прижимают зонд из плавленого индия, выполненный в виде конуса высотой 2,5 мм, и измеряют емкость. Усилие прижима обеспечивает давление зонда, равное 2-4 Н/мм2. Воспроизводимость площади контакта составляет до 99,9%.

, Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении.

Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.

Сущность изобретения заключается в том, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм2, к поверхности полупроводника или диэлектрика и выдерживают не менее трех минут при нормальной температуре.

Пример. Изготавливают зонд, представляющий собой медный стержень, к нижнему основанию которого (диаметром 2 мм) наплавлен индий в форме конуса высотой 2,5 мм. Исследуемым объектом является двухслойная структура диэлектрик - полупроводник, выполненная на основе кремниевой пластины n-типа проводимости (КЭФ - 7,5) со слоем S102 толщиной 2 мкм. На диэлектрике нанесены царапины глубиной до 0,5 мкм с помощью алмазной пасты АСМ - 0,5.

После прижатия зонда к диэлектрику в

Н течение трех минут с давлениемР 3

на

мм

ю

vj

измерителе полной проводимости Л2-7 измерена геометрическая емкость полученной МДП-структуры, которая равна 21,3 пФ. С использованием термически напыленных алюминиевых электродов той же площади, что и индиевый зонд, для величины геометрической емкости получают значение 20,7 пФ.

Использование изобретения позволяет без .дополнительной операции напыления

определять параметры материала с почти такой же точностью, как и при использовании термически напыленных электродов вне зависимости от рельефа поверхности материала.

Формула изобретения

Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику,

0

включающий прижатие с усилием металлического зонда к поверхности полупроводника или диэлектрика и выдержку при нормальной температуре, отличающий- с я тем, что, с целью повышения воспроизводимости площади контакта, в качестве материала зонда используют сплошной индий, усилие прижатия зонда выбирают обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм2, а время выдержки выбирают не меньшим 3 мин.