УСТРОЙСТВО ДЛЯ МНОГОКРАТНОЙ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Советский патент 1965 года по МПК H01L21/00 

В известных устройствах дл51 фотолитографической обработки полупроводниковых материалов при совмещении фотошаблона с иолупроводииковой иластиной ироисходит механическое нарушение последней.5 Предложено устройство, в котором для предотвраш,ения механических повреждений еопрягаемых элементов, например, полупроводниковых пластин и совмещенных сменных шаблонов, а также обеспечения точноети сов- 10 мещения по периферии обрабатываемой пластины, в координатном столе раеположены выводные каналы иневмосистемы, соединенные е пневмонасосом. Для создания возможности обработки плоских нластин неравной толщ;;ны в устройстве подложка для пластины ВЕЯполнена в виде полусферы, и.меющей три степени свободы относительно координатиого стола. На чертеже изображено устройство для 20 многократной фотолитографической обработки полупроводниковых приборов в разрезе. Пластина 7 кремиия установлена на нодложке 2, которая при помощи давления газа «подвешена на «воздушной нодушке. Это 25 дает возможность применять не только нлоскопараллельные, но и неплоскопараллельные пластины кремния и устанавливать их в плоскости, заданной ншблоном 3. Шаблон уста1 овлен в камере 4 и «крепится в ней нахо- зо 15 дящимся в камере Ба;;уу:.1ом. KaAicpa / установлена на скользящеГ; посадке в стакане 5. Зазор между камеро) 4 стаканом 5 служит стабилизирующей плоскостью для камеры 4. В этом зазоре постоянно создают давление. После уетановки пластины относительно плоскости шаблоиа иод нодложко; 2 снимают давление, создается вакуум, благодаря которому пласт 1на / кремния присасывается к подложке, а псследияя - к оправе 6, установлеппой в корпусе 7 коордииатного стола. Затем в выводном канале 8 создают давлеиие, благодаря которому получается «воздушная иодушка между нластипоГ / кремния и Н1аблоиом 3. Для иеремещения плаетииы кремния относительно щаблоиа но осям используется микроманииулятор 9, верхний н1арннр 10 которого -подвешен на нанфах //. НижниГ И арнир 12 манипулятора также подвенге;: на цаифах и связан с корпусом 7 коордипатного стола. Прн сов1 ещенин пластины / кремния с шаблоном 3 давление снимается; создается вакуум и щабло 3 нрижимается к иласт);не /. После этого начинается процесс экспонирования.

Пр

с д м с т и п о о р с т е и и я

icpKa.-iOii, мапрялзср, для послсдовательноliciiicciin H рисулка при из1ото1 ло11И1 Ti;cp; схем, содержащее коордииатшя стол е ложк( для илаетины, ниепмопасос, шабI ; систему фотозксио.циропаппя, оглпчсип:ч:л тем, что, е целью :1редотнраи1,е111«1 меi;i4ee :i;, ноиреждеипи сопрягаемых эле:т()1., jaiii aMep, колупронодшпчоных иласii со1;мс1даемых c:, шаблолоь. а

также обеспечения точности совмещения но пернферни обрабатываемой иластипы, и координатном столе расположены кыг.сдные каналы нневмосистемы, соединенные с нпевмонасосом.

2. Устройство но и. 1, отличающееся те.м, что, с целью обеенечеиия возможности обработки плоских нластнн нсрг15ной толщины паиример клинообразных, иодложка для нластииы вынолиена в виде нолусферы, 1 ;е;о;:Кн три степенн свобод ; (ггиоснте п но к ;ордиНоТHOio стола.

Ч