Преобразователь давления и способ его изготовления Советский патент 1992 года по МПК G01L9/04 

Описание патента на изобретение SU1732199A1

Похожие патенты SU1732199A1

название год авторы номер документа
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2005
  • Баринов Илья Николаевич
  • Козин Сергей Алексеевич
RU2284613C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2014
  • Баринов Илья Николаевич
  • Волков Вадим Сергеевич
  • Гурин Сергей Александрович
  • Тареева Юлия Александровна
  • Евдокимов Сергей Павлович
RU2555190C1
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2013
  • Волков Вадим Сергеевич
  • Баринов Илья Николаевич
RU2526788C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2011
  • Баринов Илья Николаевич
RU2464539C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2004
  • Баринов Илья Николаевич
  • Козин Сергей Алексеевич
RU2271523C2
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2012
  • Волков Вадим Сергеевич
  • Баринов Илья Николаевич
RU2507491C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ 2006
  • Баринов Илья Николаевич
  • Козин Сергей Алексеевич
  • Цибизов Павел Николаевич
RU2310176C1
ЕМКОСТНОЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ 2003
  • Величко А.А.
  • Илюшин В.А.
  • Филимонова Н.И.
RU2251087C2
ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ КНИ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ 2015
  • Соколов Леонид Владимирович
RU2609223C1
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДАВЛЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ 2015
  • Харин Денис Александрович
  • Разинов Дмитрий Вячеславович
RU2606550C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 732 199 A1

Реферат патента 1992 года Преобразователь давления и способ его изготовления

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преоб разователям давления, и позволяет повысить чувствительность и точность преобразователя. Преобразователь содержит профилированную мембрану 1 со сформированными на ней через слой диэлектрика 2 тензорезисторами 3. Причем мембрана и тензорезисторы выполнены из идентичной легированной бором до а - Ь концентрации не менее 5-Ю см пленки кремния, а между тензорезисторами на мембране нанесена аналогичная пленка 5, отделенная от тензоре- зисторов воздушным зазором 6. При изготовлении преобразователя две кремниевые пластины со сформированными легированными слоями 8 соединяют между собой через слой диэлектрика в еди- ном процессе травления, удаляют кремний по всей поверхности до легированного слоя на верхней пластине и локаль-о но в областях мембран на нижней плас- тине и фотолитографией: формируют воздушные зазоры 6, отделяющие тензорезисторы 3 от легированной пленки 5. 2 с.п.ф-лы, 7 ил. 1 (Л С.

Формула изобретения SU 1 732 199 A1

Фи&.2

s s S Л S ss s SsStjr

3±/т Риг.З

Фиг.Ь

8 tO fi

J2 Фиг. S

7777 / / 7 7 / 7 / 7 :.y.

/ /

/ 7 7/77/ / 7

Put.l

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1992 года SU1732199A1

SAE Techn.Par.Ser, 1986, № 860473, р
Контрольный стрелочный замок 1920
  • Адамский Н.А.
SU71A1
Патент США № 4400869, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 732 199 A1

Авторы

Козин Сергей Алексеевич

Даты

1992-05-07Публикация

1990-07-05Подача