fp+eV
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ПРИБОР | 1992 |
|
RU2038654C1 |
| ВАКУУМНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД (ВТД) | 2016 |
|
RU2657315C1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД С НИЗКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ КОНТАКТА | 1996 |
|
RU2166222C2 |
| Способ формирования оптически прозрачного омического контакта к поверхности полупроводникового оптического волновода электрооптического модулятора | 2019 |
|
RU2729964C1 |
| ТУННЕЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ НАНОТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ | 2007 |
|
RU2354002C1 |
| РЕЗОНАНСНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР НА ОСНОВЕ КВАНТОВЫХ БИЕНИЙ | 2003 |
|
RU2269182C2 |
| Способ определения квантомеханического фактора вырождения глубоких центров в полупроводнике | 1983 |
|
SU1098466A1 |
| Полупроводниковое запоминающее устройство | 1979 |
|
SU789018A1 |
| СТРУКТУРА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AB И СПОСОБ ЕЕ ФОРМИРОВАНИЯ | 2010 |
|
RU2420828C1 |
| СПОСОБ ЭФФЕКТИВНОГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ГИПЕРПРОВОДИМОСТИ И СВЕРХТЕПЛОПРОВОДНОСТИ | 2016 |
|
RU2626195C1 |
Изобретение относится к оптоэлектро- нике и квантовой электронике, в частности к тонкопленочным электролюминесцентным приборам, и может быть использовано в схемах передачи и обработки оптической информации. С целью повышения интенсивности электромагнитного излучения расширения интервала излучаемых частот и обеспечения возможности частотной модуляции излучения в туннельном светодиоде на основе структуры, образованной вырожденной полупроводниковой пленкой 2 п+- типа, туннельно тонкой диэлектрической пленкой 5 и электропроводящей пленкой 3. полупроводниковая пленка 2 ориентирована в кристаллографическом направлении, совпадающем с направлением, в котором производная эффективной массы электрона по энергии в зоне проводимости полупроводниковой пленки максимальна Электропроводящая пленка может быть выполнена из металла, сплава металлов либо из вырожденного полупроводника п -типа, в котором положение дна зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов совпадает с по- ложением дна зоны проводимости полупроводниковой пленки.2 з п. ф-лы 2 ил (/ С
ЈF EC
Ъ
fy
77/7////
w/f/f/i hco
eU
Риг.2
| Панков Ж, Оптические процессы в полупроводниках | |||
| - М.: Мир, 1973 с | |||
| Вагонный распределитель для воздушных тормозов | 1921 |
|
SU192A1 |
| Панков Ж | |||
| Оптические процессы в полупроводниках | |||
| - М.: Мир, 1973 | |||
| Способ нагрева эквипотенциального катода в электронных вакуумных реле | 1921 |
|
SU266A1 |
