Способ сборки мощного полупроводникового прибора Советский патент 1992 года по МПК H01L21/26 

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и может быть использовано при изготовлении широкого класса полупроводниковых приборов.

Целью изобретения является повышение надежности полупроводникового прибора.

Сущность способа заключается в том, что кристалл, содержащий р-п- переход, соединяют пайкой с металлическим основанием цилиндрической формы, облучают кольцо из термически отвержденной эпоксидной смолы потоком электронов с энергией А-6 НэВ и дозой (2-20) 1014 , устанавливают и закрепляют кольца на торце основания, заливают в цилиндр до верхнего торца кольца эпоксидный комп-т- унд и осуществляют термообработку.

Экспериментально установлено, что при облучении кольца потоком электронов с энергией -6 МэВ и дозой (2-20)-Ю1 см гснимается или значительно уменыяется электрострик- ционный эффект.

Пример. Способ опробовали при сборке полупроводникового диода КД213, представляющего собой мощную сковородку толщиной 1,0 мм и диаметром 14 мм, стенка которой имела толщину 1,8 мм и высоту 2,0 мм. В нее вставляли и приклеивали кольцо из эпоксидного компаунда с толщц ной стенки 2,0 мм и высотой мм. В полученный цилиндрический стакан

со

vl

СП

О5

sj

31

заливали экпосидный герметик следующего состава, вес.м.: Эпоксидная смола ЭД-20 190

Ангидрид малеиновый 7

Карбинол о20

Свинцовый сурик35

Тальк23

Аэросил1,5

Диметиланилин1,3

Облучение проводили на ускорителе У-003. По 00 шт колец облучали при однорядном их расположении дозами

10нсм ги 2

1(

При испытаниях не обнаружено при боров с аномальной характеристикой.

, Формула изобретения Способ сборки мощного полупровод1- никового прибора, включающий соеди- , - нение пайкой кристалла, содержащего p-n-переход с металлическим основанием, выполненным в форме стакана, установку и крепление на торце основания кольца из термически отверж- 10 денной эпоксидной смолы, заливку в цилиндрическую полость, образованную стаканом и кольцом эпоксидного компаунда, и термообработку, о т л и ч а- ю щ и и с я тем, что, с целью повы- 15 шения надежности, кольцо перед установкой облучают потоком электронов

с энергией 4-6 МэВ и дозой (2-20)х

см

«щн - г

Изобретение относится к полупровод ни кову приборостроению и может быть использовано при изготовлении широкого класса полупроводниковых приборов., Цель изобретения - повышение надежности. Сущность способа заключается в том, что кристалл с p-n-перходом соединяют пайкой с металлическим основанием, облучают кольцо из термически отвержденной эпоксидной смолы потоком электронов k-в МэВ и дозой (2-20) -10 4 , устанавливают и закрепляют кольцо на торце основания, заливают в цилиндр до верхнего торца кольца эпоксидный компаунд и осуществляют термообработку. Использование способа позволяет изготавливать приборы без аномальных характеристик. ё (Л С