Изобретение относится к области измерения параметров полупроводниковых приборов. Некоторые параметры, в частности Is , /ко, fso, а, испытывают дрейф во времени, и поэтому необходимо либо выжидать усталтовление стационарного значения параметра (10-60 мин), либо измерять его для всех приборов с некоторой задержкой после включения (20 сек - 4 мин), определяемого техническим указанием, что замедляет массовую пр:0верку р-/г-лереходов.
в настоящее время дрейф обратного тока измеряют в импульсном режиме.
Предложе-н способ ускоренного систематического, не связанного с температурой «змереНИН дрейфа обратного тока германиевых р-п-переходов с помощью им пульсов, подаваемых ма переход непосредственно перед измерением обратного тока.
От известного он отличается подачей комбинаций отрицательного и положительного импульсов на р-п-переход.
Предлагаемый способ позволяет:
1)Измерить полностью установившееся значение обратного тока, не выж.идая времени установления.
3) Установить полный размах дрейфа, проводя измерения в динамическом режиме.
При ускоренном измерении обратного тока перехода необходимо вначале подать отрицательный .импульс, устанавливающий некоторую начальную ко,нцентрацию медленных состояний на поверхности, а затем - ноложительный и.мпульс, насыщающий поверхность дырками. В этом случае ггри соответствующем подборе величин импульсов можно попасть на любую T04iKy кривой обратного тока перехода.
Для мощ.ных и маломощных транзисторов при измерении полностью установившегося значения обратного тока отрицательный импульс должен быть такой величины, чтобы переход выводился в предпробивную область, и длительностью 0,2-0,5 сек. Положительный импульс для маломощных транзисторов должен быть в пределах 0,05-0,2 в, а для мощных транзисторов - в пределах 1,5-2 в.
Предмет изобретения
Способ измерения дрейфа обратного тока р-«-переходов, например, гер-маниевых, не связанного с температурой, отличающийся тем, что, с целью ускоренното измерения нестабильности, на р-д-лереход подают поочередно отрицательный и положительный импульсы.
