ПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1965 года по МПК H01L31/00 H01L21/16 

Известны два вида фотовольтаических элементов на основе сульфида кадмия. В элементах первого вида используется эффект фотоэ. д. с. Б запирающем слое между медным электродом и кристаллом сульфида кадмия, в элементах второго вида - эффект возникновения э.д. с. на р - п-переходе, осуществленном в монокристалле сульфида кадмия при обильном легировании медью некоторой части его объема.

Предлагается малоынерционный пленочный фотовольтаический элемент на основе р - «-перехода, возникающего на контакте между сульфидом кадмия и закисью меди.

Фотоэлемент выполняется следующим образом. На стеклянную (или слюдяную) подложку путем термического испарения наносят две полоски алюминия, являющиеся токоотводящими контактами, затем наносят непрозрачный слой меди, который частично перекрывает лишь одну из алюминиевых полосок, после чего создают слой закиси на поверхности медной пленки, на которую напыляют сульфид кадмия толщиной 5-10 мк. Изготовление элемента завершается напылением верхнего полупрозрачного алюминиевого электрода, который перекрывает второй алюминиевый токоотводящий контакт.

Спектральная чувствительность элемента 400-1000 ммк. Наблюдается максимальная чувствительность в ультрафиолетовой области спектра. Фотоэлемент может работать в фотодиодном режиме при внешнем напряжении

порядка нескольких вольт и токах до 1 а/сж. Фотоэлемент, выполненный на основе закиси меди и сульфида кадмия, может иметь большую поверхность и не боится длительного пребывания на воздухе, хорощо переносит

работу при высоких уровнях освещенности.

Предмет изобретения

Пленочный фотовольтаический элемент, огличающийся тем, что, с целью получения высокой интегральной чувствительности с максимумом в ультрафиолетовой области, р-г-пГ1ереход выполнен на основе сочетания пленок закиси меди и сульфида кадмия.