Известны способы регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых триодов, основанные на введении различных примесей в состав эмиттерного сплава.
Предложенный способ отличается от известных тем, что в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшающий время жизни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса. Способ позволяет уменьшить коэффициент усиления по току и технологический разброс по коэффициенту усиления, а также увеличить частотный предел германиевых полупроводниковых приборов.
Примесь никеля в германии снижает время жизни носителей в базовом слое до единиц и долей микросекунд. Обладая высокой растворимостью в германии, никель мало влияет на его электропроводность.
Коэффициент диффузии никеля высок при температуре порядка 800°С и приближается к
коэффициенту диффузии меди, а при низких температурах он такой же, как у обычных примесей в германии (индий, галлий, сурьма, мышьяк), что исключает возможность диффузии никеля в диапазоне рабочих температур.
Предмет изобретения
Способ регулирования величины коэффициента усиления по току германиевых транзисторов, основанный на введении примесей в состав эмиттерного снлава, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента
усиления по току и технологического разброса по коэффициенту усиления и увеличения частотного предела германиевых полупроводниковых приборов, в состав эмиттерного сплава вводят никель, уменьшаюш,ий время жизни носителей в базовом слое и величину коэффициента переноса.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГОПРИБОРА | 1969 |
|
SU253933A1 |
РЕВЕРСИВНО-УПРАВЛЯЕМЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР | 1986 |
|
RU2006992C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕРМАНИЕВЫХ ПЛАНАРНЫХ р_„_р-ТРАНЗИСТОРОВ | 1971 |
|
SU293533A1 |
Способ изготовления ВЧ транзисторных структур | 1979 |
|
SU766423A1 |
МНОГОПЕРЕХОДНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 2010 |
|
RU2442242C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНОГО ВЧ N-P-N-ТРАНЗИСТОРА | 1990 |
|
RU2025824C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ГЕРМАНИЯ | 2008 |
|
RU2377698C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ | 2015 |
|
RU2585900C1 |
Полупроводниковый германиевый прибор | 1961 |
|
SU152031A1 |
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР | 1981 |
|
SU1005607A1 |
Даты
1965-01-01—Публикация