Способ получения образца кремния с косым шлифом Советский патент 1992 года по МПК G01N1/32 

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к технологии препарирования образцов, и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых материалов.

Известен способ получения образца с косым шлифом, включающий механическую шлифовку препарируемого образца под малым углом, К недостаткам данного способа относится значительная шероховатость поверхности приготовляемого шлифа.

Наиболее близким к предлагаемому является способ лолучения образца с косым шлифом, включающий постепенное погружение его в травящий раствор.

Недостатком этого способа является недостаточная линейность поверхности шлифа, связанная с неодинаковой смачиваемостью различных участков образца и колебаниями скорости перемещения границы травителя по поверхности материала.

Целью изобретения является улучшение качества поверхности и равномерности профиля косого шлифа.

Указанная цель достигается тем, что в способе получения образца кремния с косым шлифом, включающем воздействие на его поверхность травящим раствором, образец помещают в электролитическую ванну, снабженную линейным катодом, располагают катод в плоскости поверхности образца параллельно одной из его граней на некотором расстоянии, после чего удаляют материал образца методом электрохимического анодного растворения, при этом угол W получаемого косого шлифа определяют из соотношения

Vl

сл ел

о

СлЭ

W

arctgJ -,

где t - время травления;

К - электрохимический эквивалент;

R - расстояние от края образца до катода;

L- длина образца;

W - угол наклона косого шлифа.

На чертеже представлено поперечное сечение устройства, реализующего предлагаемый способ.

Устройство содержит электролитическую ванну 1 с линейным катодом 2 и держа- тель образца 3, снабженный тыловым контактом 4 и уплотнителем 5.

Устройство работает следующим образом.

Держатель с образцом б помещают в ванну, заполненную электролитом 7 для анодного травления, после чего линейный катод ориентируют таким образом, чтобы он лежал в плоскости поверхности образца параллельно одной из его граней на некотором расстоянии. Затем устройство подключают к источнику питания и травят поверхность образца до получения шлифа с необходимой геометрией.

В пренебрежении относительно малыми изменениями геометрии системы при травлении, не выходящими за пределы 0,1%, угол получаемого шлифа связан с параметрами системы соотношением.

0

5

0

Эксперименты показали, что предлагаемый способ позволяет получать образцы кремния с косым шлифом, имеющие поверхность высокого качества, при этом отклоне- ние формы шлифа от линейной не превышает 0,5%,

Формула изобретения Способ получения образца кремния с косым шли,фом, включающий травление поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества поверхности и равномерности профиля косого шлифа, защищают одну плоскость образца химически стойким материалом, помещают образец в электрическую ванну с линейным катодом так, чтобы открытая плоскость образца была параллельна катоду, проводят анодное травление образца, причем время травления t определяют из соотношения:

R +L

К -tg W

где R - расстояние от края образца до като- да;

L- длина образца;

К - электрохимический эквивалент;

W - угол наклона косого шлифа.

Использование: технология препарирования образцов в микроэлектронике. Сущность изобретения: защищают одну плоскость образца химически инертным материалом. Размещают образец в электролитической ванне параллельно линейному катоду. Проводят анодное травление образца. Время травления определяют из соотношения требуемого угла косого шлифа и размеров образца. 1 ил.