Способ получения электропроводящего покрытия сульфида меди на диэлектрической подложке Советский патент 1992 года по МПК H05K3/42 H05K3/18 

Изобретение относится к модификации свойств диэлектрических материалов и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике для металлизации отверстий печатных схем на основе одно- и двухстороннего фольгировэнного стеклотекстолита и других диэлектриков.

Электропроводящее покрытие сульфида меди широко применяется в промышленности в качестве подслоя при декоративной гальванической металлизации пластмасс. В этом случае важнейшими характеристиками сульфидного покрытия является ее электропроводность и компактность.

Однако, известные способы нанесения электропроводящих покрытий сульфида меди при их использовании в техпроцессах металлизации отверстий печатных схем не обеспечивают полного покрытия сквозных

отверстий из-за недостаточной их электропроводности.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ получения электропроводного покрытия, согласно которому поверхность диэлектрика после обработки раствором одновалентной меди дополнительно обрабатывают водным раствором одно-, двух- или трехза- мещенного фосфата щелочного металла или аммония, а затем раствором полисульфидов. Обработка в растворе Фосфатов позволяет получать гладкое, однородное электропроводное покрытие и тем самым обеспечить высокую декоративность гальванопокрытия. Однако, полученное этим спо - собом покрытие не обеспечивает полного покрытия отверстий печатных схем при осаждении гальванопокрытия.

ю

Целью изобретении является улучшение покрытий отверстий печатных схем путем увеличения электропроводности покрытия.

Поставленная цель достигается тем, что в способе получения электропроводящего покрытия, включающем обработку в растворе одновалентной меди, затем в водном растворе структуроформмрующего вещества промывку и оЬработку в растворе полисульфидов, в качестве структуроформи- рующего вещества используют водный 0,0025-0,025 М раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия.

Изобретение реализуется следующим образом:1) образцы в течение 30 с обрабатывают в растворе состава (М): CuSCMSHaQ - 0,4 аммиак - 0,8 (до ,8) и металлическая медь в виде пластинки (-4дм /л); 2) на 5-30 с окунают в водный 0,0025-0,025 М раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия и промывают водой; 3) в течение 15-30 с обрабатывают в 0,005 М растворе полисульфидов натрия и промывай водой. Операции проводятся при комнатной температуре и повторяются 2 раза.

Обработка раствором структуро- сЬоомирующего веш, способствует по- Ропиению электропроводности покрытия сульфида меди, что позволяет достичь полного покрытия отверстий печатных схем гальванопокрытием.

Положительное действие обработки в ргствооах структуроформирующего вещества, по-видимому, связано с образованием более толстей и компактной (повышенной мелкокристалличности) пленки, которая по сравнению с пленкой прототипа обладает лучшей электропроводностью.

Электропроводность оценивали по электросопротивлению покрытия, ограниченного квадратом, сторона которого равнялась 1 cts и измеряли на плоской поверхности стеклотекстолита.

Количество осажденного сульфида меди оценивали по количеству серы на поверхности диэлектрика, которое измеряли методом радиоактивных индикаторов с применением изотопа S .

Результаты экспериментальной проверки заявляемого изобретения представлены в таблице. Они свидетельствуют о следующем.

1. Обработка поверхности диэлектрика

в растворах предлагаемых структуроформи- рующих веществ повышает электропроводность покрытия по сравнению с прототипом до 3-6 раз.

2. Предлагаемый способ получения электропроводящего покрытия обеспечивает полное покрытие отверстий печатных схем.

3.Положительный эффект достигается только при определенных концентрациях,

за пределами которых покрытие не отличается повышенной электропроводностью.

4.Электропроводящее покрытие, полученное по предлагаемому способу, является

более толстым по сравнению с прототипом, на что указывают данные радиометрических измерений, и более равномерным, на что указывают меньшие разброс этих данных.

30

Формула изобретен ыя

Способ получения электропроводящего покрытия сульфида мед./, на диэлектрической подложке, включающий последовательчую обработку подложки в растворе соли одновалентной медм и ь водном растворе структуроформирующего вещества, промывку водой и обработку в растворе полисульфидов щелочно о металла, отличающ и и с я тем. что с целью повышения качества покрытия за счет увеличения его электропроводности,в.качестве структуроформирующего вещества используют 0,0025-0.025 М,раствор персульфата калия или йода или нитрита калия.

Использование: радиоэлектронная промышленность, приборостроение и вычислительная техника для металлизации отверстий печатных схем на основе одно- и двух- стороннегофольгированного стеклотекстолита и других диэлектриков. Сущность изобретения: диэлектрическую подложку из стеклотекстолитэ последовательно обрабатывают в растворе соли одновалентной меди, в растворе структуроформирующего вещества и в растворе полисульфидов щелочного металла, причем в качестве структуроформирующего вещества используют 0,0025-0.025 М раствор персульфата калия или йода или нитрита калия. Способ обеспечивает увеличение электропроводности покрытия. 1 табл