Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов Советский патент 1992 года по МПК G11C7/00 G11C11/14 

располагается слой 8 диэлектрика и магни- торезисторный считывающий элемент 9. Вырезы 4 и 7 выполнены одинаковой формы, симметричными относительно своих осей 10 и 11 симметрии. Вырезы 4 и 7 расположены по разные стороны от продольной оси 12 проводников, оси 10 и 11

симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13,14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников (находятся в одной плоскости). Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Нем и подключено к источникам тока. 3 ил.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повышение надежности устройства. Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосн- ную доменосодержащую пленку 1, на поверхности которой методом напыления и фотолитографии через слой 2 диэлектрика установлен первый проводник 3 элемента растяжения ЦМД, одна из продольных боковых сторон которого выполнена с вырезом 4, например, прямоугольной формы, причем длина выреза не менее диаметра ЦМД. Параллельно и сверху над проводником 3 через диэлектрик 5 расположен второй проводник 6 элемента растяжения ЦМД с вырезом 7 аналогичной формы Далее снова Ё 2 XI О XI (Л СО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения является повышение надежности устройства.

На фиг.1 изображена конструкция предложенного устройства; на фиг.2 и 3 представлено распределение магнитного поля вокруг токопроводящих проводников.

Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную доменосодержа- щую пленку 1 (фиг.1), на поверхности которой методом напыления и фотолитографии через слой 2 диэлектрика установлен первый проводник 3 элемента растяжения ЦМД, одна из продольных боковых сторон которого выполнена с вырезом 4, например прямоугольной формы, причем длина выреза не менее диаметра ЦМД. Параллельно и сверху над проводником 3 через диэлектрик 5 расположен второй проводник 6 элемента растяжения ЦМД с вырезом 7 аналогичной формы. Далее снова располагается слой 8 диэлектрика и магниторезисторный считывающий элемент 9. Вырезы 4 и 7 выполнены одинаковой формы симметричными относительно своих осей 10 и 11 симметрии. Вырезы 4 и 7 расположены по разные стороны от продольной оси 12 проводников, оси 10 и 11 симметрии вырезов совмещены, а точки пересечения границы выреза с его осью 13 и 14 симметрии лежат на продольной оси 12 проводников (находятся в одной плоскости).

Устройство находится в постоянном магнитном поле смещения Нем и подключено к источникам тока (на фигурах не показаны).

В качестве диэлектрика может использоваться диоксид кремния, проводники могут быть выполнены из алюминия методами микроэлектроники (напыление сплошного слоя, фотолитография, травление), а магниторезисторный элемент - из пермаллоя.

Устройство для считывания ЦМД работает следующим образом.

ЦМД любым известным способом, например, двумя проводниками в форме меандра, продвигается в область вырезов 4 и 7 к

продольной оси 12 симметрии устройства. Затем в проводник 6 подается ток И такой полярности, чтобы со стороны выреза 7 создалось магнитное поле, вычитающееся из

поля смещения. Одновременно в проводник 3 подается ток la противоположной полярности, при этом со стороны выреза 4 также создается магнитное поле, уменьшающее поле смещения. Соотношение между тока0 ми li 11 2 выбирается таким, при котором вне вырезов 4 и 7 происходит полная компенсация магнитного поля, создаваемого проводниками 3 и 6 (фиг.2). При этом в области вырезов происходит сложение магнит5 ных полей, создаваемых проводниками 3,6 и направленных против поля смещения (фиг.З). В результате действия суммы этих полей ЦМД растягивается вдоль тех сторон вырезов, которые совпадают с продольной осью 12 симметрии проводников 3,6. Растянутый домен полем рассеяния перемагничи- вает магниторезисторный элемент 9, вызывая уменьшение его сопротивления. Так как магниторезисторная ловушка, в которой находится растянутый домен, создана замкнутым контуром тока, то она локализована в пространстве у вырезов 4,7 и ни увеличение времени действия токов Ii,l2, ни увеличение их амплитуды не приводит к неконтролируемому расширению до0 мена за пределами вырезов 4,7.

Формула изобретения Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащее

5 магнитоодноосную доменосодержащую пленку, на которой расположены магниторезисторный считывающий элемент и элемент растяжения цилиндрических магнитных доменов в виде двух изолированных

0 ДРУГ от друга проводников, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства, проводники выполнены прямоугольной формы и расположены один над другим, причем проекции их осей

5 симметрии на пленку совпадают, в обоих проводниках выполнены вырезы, расположенные на противоположных боковых сторонах каждого проводника, причем оси

5

симметрии вырезов расположены в одной оси проводников, а длина вырезов составля- вертикальной плоскости, внутренние грани- ет не менее диаметра цилиндрического маг- цы вырезов расположены на продольной нитного домена.

КU МП

ь и :Jl Ht«„ | Hi

Фиг. г

А