Способ наклейки тензорезистора на образец Советский патент 1992 года по МПК G01B7/18 

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение при изготовлении тензометрических датчиков и динамометров.

Известен способ наклейки тензорези- сторов на образец, заключающийся в том, что наносят на поверхность образца слой клея, просушивают клей, накладывают тензорезистор на слой клея и поджимают тензорезистор к образцу через прокладку с помощью струбцины.

Известный способ трудоемок и не обеспечивает хорошее качество наклейки.

Известен способ крепления тензорези- сторов на полимерной подложке к образцу, заключающийся в том, что обрабатывают подложку, формируют на ней клеевой слой,

накладывают тензорезистор, термообрабатывают собранную систему, полимерную подложку частично растворяют,.

Известный способ не обеспечивает хорошее качество наклейки.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ наклейки тензорезистора на образец, заключающийся в том, что на образец наносят слой клея, размещают на нем тензорезистор, прикладывают избыточное давление и термообрабатывают образец с тензорезистором.

Недостатком известного способа является неудовлетворительное качество н.экле- ивания.

XJ

00

Сх)

Ю

о о

Цель изобретения - повышение качества наклейки за счет поддержания постоянными давления и температуры при термообработке образца с тензорезисто- ром.ч

Указанная цель достигается тем, что в способе наклейки тензорезистора на образец, заключающемся в том, что на образец наносят слой клея, размещают на нем тен- зорезистор, прикладывают избыточное дав- ление и термообрабатывзют образец с тензор е§йстором, согласно изобретению, после размещения тензорезистора на слое клея образец с ним помещают в герметичную жесткую камеру, выдерживают при 15- 35°С в течение 30-40 мин, вакуумируют камеру до давления 1,33 Па, заполняют ее инертным газом, избыточное давление прикладывают путем повышения давления газа в камере до давления (4-8) 105 Па, нагре- вают газ в камере до 190-210°, измеряют и поддерживают постоянным давление газа, а термообрабатывают образец путем выдерживания его при постоянных давлении и температуре газа в течение 2-3 ч.

На чертеже изображено устройство для осуществления предлагаемого способа.

Устройство состоит из источника сжатого газа 1, вентиля для подачи повышенного давления 2, манометра для измерения давления 3, камеры 4, термопары 5, прибора для регистрации температуры б, электронагревателя 7, образца с нанесенными тен- зорезисторами 8, источника питания 9, вентиля 10 для создания пониженного давления с манометром 11, вакуум-насоса 12. Наклеивают тензорезисторы на образец следующим образом. Тензорезисторы устанавливают на образец через слой и помеща- ют в камеру 4, выдерживают, создают пониженное давление для исключения воздуха, подают от баллона 1 инертный газ, например аргон, до давления (4-8) 105 Па. При подаче давления газа происходит под- жим тензорезисторов к образцу с удельным давлением, необходимым для приклеивания. Включают блок питания 9 и термообрабатывают клеевой шов тензорезистора. В процессе термообработки по манометру 3 контролируют давление в камере и поддерживают его постоянным,

Способ может использоваться при изготовлении датчиков силы, для этого тензорезисторы КФ5 АЖВ2762001 ТУ устанавливают на подготовленную поверхность образца из стали ЗбНХТЮ, затем помещают их в герметичную камеру, выдерживают при 15-35°С в течение 30-40 мин, вакуумируют камеру до давления 1,33 Па, заполняют камеру аргоном до давления (4-8) 105 Па, нагревают газ в камере до 190-210°С и выдерживают в течение 2-3 ч, измеряют и поддерживают постоянным давление газа.

В примере реализации способа режим вакуумирования выбран технологическим путем, при вакуумировании до 1,33 Па не происходит заметного окисления поверхности образцов из стали ЗбНХТЮ при 190- 210°С и в то же время при этом не требуется сложного вакуумирующего оборудование, Режим выдержки сборки в течение 30-40 мин выбран из соображений достаточной предварительной полимеризации клея для дальнейшей обработки.

Использование способа при наклейке тензорезисторов на образцы позволяет повысить качество наклейки тензорезисторов, упростить необходимое для этого технологическое оборудование.

Формула изобретения

Способ наклейки тензорезистора на образец, заключающийся в том, что на образец наносят слой клея, размещают на нем тензорезистор, прикладывают избыточное давление и термообрабатывают образец с тензорезистором, отличающийся тем, что, с целью повышения качества наклейки за счет поддержания постоянными давления и температуры при термообработке образца с тензорезистором, после размещения тензорезистора на слое клея образец с ним помещают в герметичную жесткую камеру и выдерживают при 15-35°С в течение 30-40 мин, вакуумируют камеру до давления 1,33 Па, заполняют ее инертным газом, избыточное давление прикладывают путем повышения давления газа в камере до давления (4-8) 10 Па, нагревают газ в камере до 190-210°С, измеряют и поддерживают постоянным давление газа, а термообрабатывают образец путем выдерживания его при постоянных давлении и температуре газа в течение 2-3 ч.

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение при изготовлении тензометрических датчиков и динамометров. Цель изобретения - повышение качества наклейки за счет поддержания постоянными давления и температуры при термообработке образца с тензоре- зистором. На образец наносят слой клея, размещают на нем тензорезистор, прикладывают избыточное давление и термообра- батывают образец с тензорезистором. После размещения тензорезистора на слое клея образец с ним помещают в герметичную жесткую камеру и выдерживают при 15-35°С в течение 30-40 мин, вакуумируют камеру до давления 1,33 Па, заполняют ее инертны м газом. Избыточное давление прикладывают путем повышения давления газа в камере до (4-8)х105 Па, нагревают газ в камере до 190-210°С. Измеряют и поддерживают постоянным давление газа, а термообрабатывают образец путем выдерживания его при постоянных давлении и температуре газа в течение 2-3 ч, 1 ил. СП с