Способ анализа диэлектриков Советский патент 1993 года по МПК G01N23/225 

ел

С

Использование: при физико-химическом анализе составов поверхностей твердых тел методом ионной эмиссии. Сущность изобретения: согласно способу, ведут облучением порошкового диэлектрика корпускулярным, зондом на поверхности исследуемого образца, на котором накапливается положительный заряд. Удаление заряда с поверхности образца осуществляется через электропроводящий порошок, предварительно слрессованный с порошком анализируемого диэлектрика. Отток заряда происходит за счет взаимодействия первичных ионов с электропроводящими участками исследуемого диэлектрика. 2 ил.

Изобретение относится к способам физико-химического анализа состава поверхности твердых тел методом вторичной ионной эмиссии.

Цель изобретения - повышение точности анализа.

Поставленная цель достигается тем, что, согласно Способу, анализа диэлектриков включающему подготовку образца, облуче-. ние исследуемого образца корпускулярным зондом, удаление заряда с поверхности образца, регистрацию спектра вторичных ионов, по которому судят о концентрации определяемых элементов, подготовку образца исследуемого вещества к анализу проводят путем прессования с электропроводящим порошком. Стекание .заряда происходит за счет взаимодействия первичных . ионов с электропроводящими участками спрессованного образца.

Пример конкретного исполнения. Диэлектрик в виде порошка смешивали в пропорции 1:1 с порошко-м свинца и спрессовывали в виде таблетки. Для анализа использовали масс-спектрометр типа МС-7201 М, работа которого основана на методе вторичной ионной эмиссии. Бомбардировку осуществляли ионами аргона.

На фиг.1 и 2 показаны масс-спектры диэлектрика на основе МдО, полученные без примеси электропроводящего порошка свинца и с примесью соответственно. При сравнении их видно, что на фиг.2 масс- спектр имеет лучшие характеристики по разрешению масс, что повышает точность анализа.

Использование предложенного способа анализа диэлектриков обеспечивает, по сравнению с существующими способами, следующие преимущества:

00

о о

СО

со 00

возможность анализа диэлектриков без конструктивных изменений в приборе;

повышение точности анализа.

Формула изобретения

Способ анализа диэлектриков, включающий подготовку образца, облучение об- рэзца корпускулярным зондом, удаление заряда с поверхности образца, регистрацию спектра вторичных ионов, по которому

$

I

« т

2324

судят о концентрации определяемых элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа за счет улучшения разрешения регистрируемого спектра при анализе порошковых диэлектриков, подготовку образца исследуемого ве- щества к анализу проводят путем прессования с электропроводящим порошком.

40

Фиг. {.

ъ/е