ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕРМОПАРНЫЙ ДАТЧИК Советский патент 1966 года по МПК G01R21/04 G01R21/10 

Известны в технике измерения сверхвысокочастотного поля полупроводниковые термопарные датчики, термоэлементы которых выполнены в виде полуцилиндров из различных сплавов.

В предлагаемом полупроводниковом термопарном датчике, в отличие от известных, термоэлемент представляет собой цилиндр из тройного сплава (например, BiSeTe), припаянный к концу цилиндрического латунного удлинителя с осевым отверстием.

На чертеже схематически изображен полупроводниковый термопарный датчик.

Термоэлемент 1 из полупроводникового сплава (например, BiSeTe) имеет цилиндрическую форму и прикреплен к концу цилиндрического латунного удлинителя 2 с осевым отверстием. Удлинитель помещен в анодированную алюминиевую втулку 3. Через осевое

отверстие удлинителя 2 проходит медный провод 4, припаянный к центру торца полупроводникового цилиндра /. Для увеличения поглощения мощности СВЧ-поля торец цилиндра ./ покрыт поглощающей массой 5 из карбонильного железа и лака.

Предмет изобретения

Полупроводниковый термопарный датчик для измерителей проходящей мощности сверх-, высокочастотного поля, содержащий термоэлемент из тройного сплава (например, BiSeTe), отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и уменьшения погрещности измерения, упомянутый термоэлемент выполнен в виде цилиндра, прикрепленного к концу цилиндрического латунного удлинителя с осевым отверстием.