Известны способы испарения диэлектриков в вакууме в процессе нанесения их на основание.
Особенностью предложенного способа нанесения диэлектрических пленок на основание является то, что иодъем диэлектрика производят электрическим полем высокого напряжения, а испарение - тепловым ударом в зоне высоких температур. Это обеспечивает более высокую степень однородности пленок по толщине и химическому составу.
На чертеже изображено устройство, реализующее предложенный способ.
Резервуар / устройства заполнен порощком диэлектрика и закрыт сеткой 2, находящейся
под отрицательным потенциалом. Порошок диэлектрика поднимается, проходит испаритель 5 и в виде атомно-молекулярного пара осаждается на поверхность основания 4.
Предмет изобретения
Способ нанесения диэлектрических пленок на основание, осуществляемый в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повыщения степени однородности нленок по толщине и химическому составу, подъем диэлектрика производят электрическим полем высокого напрялчения, а испарения диэлектрика-тепловым ударом в зоне высоких температур.
пппп ii т
и и и иЪ
