СПОСОБ ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ФРЕЗЕРОВАНИЯ НЕВЫРОЖДЕННОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ «-ТИПА Советский патент 1967 года по МПК C25F3/00 

Известен способ электрохимического травления полупроводниковых материалов с применением профилированных катодов или направлеппой струи электролита.

Предлагаемый способ фотоэлектрохимического фрезероваиия невырожденного арсенида галлия /г-типа отличается тем, что участки изделия, Подлежащие травлению, освещают через шаблон. Процесс осуществляется в 10%-ном растворе едкого натрия или калия. Плотность тока а/см.

Для получения резкой кромки при фрезеровании используют щаблон с резкими границами светлыми и темными участками, а для нолучения произвольного профиля-щаблон с переменной оптической плотностью.

Предлагаемый способ позволяет ускорить процесс, получить высокую разрешающую

способность и любой профиль поверхности, а также контролировать глубину рельефа.

Предмет изобретения

1.Способ фотоэлектрохимического фрезерования невырожденного арсенида галлия /г-типа, отличающийся тем, что, с целью нолучения любого профиля поверхности, ускорения нроцесса, возможности контролировать глубину рельефа, участки изделия, подлежащие травлению, освещают через щаблон.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что, ; целью получения резкой кромки, нрн фрезеровании иснользуют щаблон с резкими границами между светлыми и темными участками, для получения произвольного профиля используют п аблон с переменной оптической плотностью.