Способ изготовления дифракционной решетки Советский патент 1991 года по МПК H01L21/467 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток.

Целью изобретения является повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки.

Для изготовления дифракционной решетки на поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после этого образец подвергают ионнохими- ческому травлению в газовой смеси,

состоящей из 95+0,5 об.% ксенона и 5+0,5 об.% паров воды при энергии ионов 1-1,5 кэВ и плотности ионного тока 1-2 мА/см2. Использование водо- родсодержащей газовой смеси приводит к образованию легколетучих гидридов мышьяка, которые легко удаляются из зоны реакции. Галлий удаляется за счет физического распыления массивными ионами ксенона. Наличие в плазме разряда кислорода способствует резкому снижению скорости распыления маски из двуокиси алюминия. Таким образом, в смеси, содержащей пары воды и ксенон, происходит одновре- keHHoe увеличение скорости распыления арсенида галлия и снижение скорости

О5

ьо

со

СО

СО

О

распыления маски, что повышает селек- -тивность травления и позволяет изготавливать дифракционные решетки с глубиной штрихов более 5 мкм.

Формула изобретения

Способ изготовления дифракционной решетки на поверхности пластины из арсенида галлия, включающий ионное травление штрихов на этой поверхности с использованием маски, полученной

методом фотолитографии, отличающийся тем; что, с целью повышения качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки, маску формируют из двуокиси алюминия, при этом проводят ионнохимическое травление через эту маску в газовой смеси, содержащей 94,5-95,5 об.% ксенона и 4,5-5,5 об.% паров воды при энергии ионов 1-1,5 кэВ и плотности ион- ного тока 1-2 мА/см2..

Изобретение касается технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток. Цель изобретения - повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки. На поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после чего образец подвергают иокиохнмичесьому травлению в газовой смеси, состоящей из 95+0,5 об.% ксенона и 5± .+ 0,5 об.% паров воды с энергией ионов 1-1,5 кэВ и плотностью ионного (тока 1-2 мА/смг. с 58 (Л