СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИКА, НАНОСИМОГО В ВАКУУМНОЙ КАМЕРЕ НА ПРОВОДЯЩУЮПОДЛОЖКУ Советский патент 1967 года по МПК G01B7/06 G01B15/02 

При вакуумном изготовлении, например, пленочных конденсаторов для микроминиатюрных устройств необходимо производить измерение контролируемой величины без нарушения вакуума в камере и непрерывности технологического процесса. С этой целью предлагается способ, в котором используются известные явления вторичной эмиссии очень тонких слоев диэлектриков, наносимых на металлические подложки, величина (коэффициент) которых зависит от толщины слоя диэлектрика.

На чертеже приведена схе.ма измерения.

В вакуумную камеру 1 помещают электронную пушку 2, с помощью которой периодически облучают сфокусированным лучом одну точку пленки 3, наносимую на проводящую подложку 4, и измеряют импульсы тока, возникающие в результате заряда участка диэлектрика и потока вторичной электронной эмиссии на коллектор 5. Величина имнульсов тока находится в функциональной зависимости от толщины пленки.

Эти импульсы могут быть использованы для автоматического воздействия на технологический процесс.

Предмет и з о б р е т е и и я

Способ измерения толщины диэлектрика, наносимого в вакуумной камере на проводящую подложку, основанный на зависимости вторичной эмиссии тонких слоев днэлектриков на металлических подложках от толнлины слоя диэлектрика, отличающийся тем. что, с целью производства измерения контролируемой толщины без нарушения вакуума в камере и непрерывности технологического

процесса, сфокусированным лучом электронной нущки, размещенной внутри камеры, иериодически в одной точке облучают пленку и при этом измеряют импульсы тока, возникающего в результате заряда участка днэлектрика и потока вторич1юй электронной эмиссии на коллектор, величина которых находится в функциональной зависимости от толщины пленки.

L.