Известен запоминающий элемент с неразрушаемым считыванием информации, у которого токопроводящий магнитопровод электрически связан с шиной подачи тока записи и охвачен обмоткой записи.
Предлагаемый элемент отличается тем, что для увеличения мощности выходного сигнала в разомкнутую часть магнитопровода помещен изолированный магниторезистивный материал, к которому подсоединены шина считывания и нагрузка.
На фиг. 1 изображен запоминающий элемент; на фиг. 2 - зависимость сопротивления магниторезистивного материала от величины внешнего магнитного поля.
Элемент представляет токопроводящую пермаллоевую пластину / тороидальной формы с зазором, который заполнен двумя слоями изоляции 2 и двухфазным полупроводниковым составом 3 InSb- NiSb, изменяющим свое электрическое сопротивление в зависимости от величины внешнего магнитного поля, согласно фиг. 2. Непосредственно с телом пермаллоевой пластины связан проводник 4 тока /г (это может быть числовой или словарный ток в матрице ЗУ).
Непосредственно к включению магниторезистивного материала подходит проводник 6, по которому проходит ток неразрушающего считывания /нр.
Запись, например, «единичной информации осуществляется пропусканием только тока /, представляющего собой затухающие колебания. При этом индукция и поток в тороидальном контуре уменьшаются до значения, близкого к нулю. Пластина / размагничивается. Отсутствие внешнего поля, воздействующего на материал, приводит к тому, что его электрическое сопротивление уменьшается до значения cv) .
Если теперь пропустить ток /ж., то с сопротивления Ri будет снят полезный выходной сигнал f/cHCH. .1 .
Запись «пулевой информации осуществляется одновременным пропусканием тока
/Z и /х . В этом случае в тороидальном контуре устанавливается определенный поток Ф. Его воздействие на материал 3 приводит к значительному увеличению электрического сопротивления этого состава. Теперь при пропускании тока /не на сопротивлении Ri выделяется значительно меньший выходной сигнал помехи.
висимости от требуемых условий и технологических возможностей.
Наиболее важным преимуществом этого элемеета является высокая мощность полезHorJpfeixoAHoro сигнала неразрушающего считывания, который непосредственно связан с источником опроса элемента. Эта мощность может быть использована для срабатывания пассивного детектора в ассоциативных ЗУ. Требования к токам записи и считывания в таком элементе менее критичны, чем в адресных ЗУ, собранных на обычных ферритовых сердечниках по схеме с линейной выборкой, а температурный диапазон работы шире.
Элемент может быть .изготовлен различными способами, в том числе напылением и электролитическим осаждением. Направление
анизотропных осей материала 3, расположенного Б зазоре, должно быть таким, чтобы давать наибольшее изменение электрического сопротивления при изменении внешнего поля.
Предмет изобретения
Запоминающий элемент с неразрушаемым считыванием информации, с токопроводящим магнитопроводом, электрически связанным с шиной подачи тока записи и охваченным обмоткой записи, отличающийся тем, что, с целью увеличения мощности выходного сигнала, в разомкнутую часть магнитопровода помещен изолированный магниторезистивный материал, к которому подсоединены шина считывания и нагрузка.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК | 2005 |
|
RU2279737C1 |
МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК | 2000 |
|
RU2175797C1 |
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1966 |
|
SU222468A1 |
Запоминающее устройство | 1980 |
|
SU920838A1 |
МАГНИТНЫЙ НЕЙРОН | 2001 |
|
RU2199780C1 |
Запоминающее устройство | 1977 |
|
SU680050A1 |
СПОСОБ ЧАСТИЧНОЙ РЕЦИРКУЛЯЦИИ ЭНЕРГИИ ДВИЖУЩЕГОСЯ АВТОМОБИЛЯ И ВАРИАНТЫ КОНСТРУКЦИИ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2019 |
|
RU2748097C2 |
СПОСОБ ЗАПИСИ И ВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ | 1973 |
|
SU376802A1 |
Запоминающее устройство | 1980 |
|
SU911618A1 |
Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов | 1980 |
|
SU903969A1 |
Даты
1967-01-01—Публикация