СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИН ТОНКИХ ПЛЕНОК В ПРОЦЕССЕ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ Советский патент 1967 года по МПК G01B11/06 G02B27/60 

Известны способы намерения толщин тонких пленок в процессе их изготовления. Они заключаются в том, что сравниваются световые потоки, отраженные от непокрытой части подложки и от нанесенной пленки. Предлагаемый способ отличается от известных тем, что перед эталонньш образцом на пути напыляемого вещества устанавливают диафрагму, экранирующую часть образца, создают в отраженно М свете одну систему муаровых нолос от экранированной части образца, соответствующей пленке нулевой толщины, и другую систему муаровых нолос от контролируемой пленки и по относительному смещению систем полос судят о толщине пленки. Этот снособ новышает точность измерения. На чертеже изображена схема устройства для осуществления описываемого способа. Под вакуумным колпаком , где производнтся напыление, наряду с образцами (не показаны), на которые наносят изготовляемые тонкие пленки, располагают эталонный образец 2, служащий для контроля толщины пленки. Напыляемое вещество постунает на образцы с испарителей 3, закрепленных на основании 4. Перед эталонным образцом па пути напыляемого вещества устанавливают диафрагму 5, расположенную таким образом, что она экранирует часть образца, вследствие чего Пленка 6 образует на подложке ступеньку, вЫсота которой точно равна толщине пленки. Для измерения высоты ступеньки на эталонный образец проектируют объективом 7 изображение 8 растра 9, подсвечиваемого источником 10 с помощью конденсора 11. Оптическая ось проектирующей системы расноложена под углом и больше к подложке. Поэтому, чтобы изображение имело вид.растра с постоянным шагом, необходимо растр устанавливать под углом к оптической осн, при этом шаг его должен меняться. После отражения от образца изображение растра проектируется объективом 12 в плоскость, где установлен такой же растр 13. Растры ориентированы один относительно другого так, что между их штрихами имеется небольшой угол. В результате в илоскостн растра 13 образуются муаровые полосы. При этом смещение изображения 8 перпендикулярно штрихам вызывает перемещение муаровых полос намного большую величину. В процессе напыления по мере роста пленки полученное на ней изображение смещается в сторону осветительной системы, в то время как изображение на экранированной части образца остается ненодвижным. В плоскости растра 13 получаются две системы муаровых нолос, нз которых одна соответствует нулевой толщине пленки (подложка без пленки), а

другая - фактической толщине в данный момент напц.ления.

.Предмет изобретения

Способ .измерения толщин тонких пленок в процессё их изготовления, заключающийся в сравнении света, отраженного от эталонного образца и от пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, устанавливают неред эталонным образцом на пути напыляемого вещества диафрагму, экранирующую часть образца, создают в отраженном свете одну систему муаровых полос от экранированной части образца, соответствующей пленке нулевой толщины, и другую систему муаровых полос от контролируемой пленки и по относительному смещению систем полос судят о толщине пленки.

ЙП1