СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ДЛЯ УЛЬТРАЗВУКОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Советский патент 1968 года по МПК B06B1/06 

Известны способы получения кристаллов для ультразвуковых преобразователей на основе обедненных слоев сульфида кадмия, заключающееся в том, что на полированные грани (НИ31КООМНОГО образца сульфида кадмия, нерпендикулярные или параллельные оптической оси в зависимости от того, для какого типа волн создается преобразователь, вродольных или лонеречных, в вакууме 10-з мм рт. ст. испарением наносится слой меди. После этого образец прогревается в вакууме мм рт. ст. ДО + 400°С в течение 2-20 мин с целью проведения диффузии меди в низкоомный кристалл. Легированный медью слой сульфида кадмия обладает высоким сопротивлением и является активным пьезоэлект1рическим слоем. Известный способ обладает рядом недостатiKOB: низкой температурной стабильностью основных параметров полученных преобразователей из-за возможности дальнейшей диффузии меди, что ограничивает использование подобных преобразователей в различных устройствах, например ультразвуковых линиях задержки, и сложностью технологии ввиду наличия вакуумных операций. По предложенному способу обедненный носителем слой создают отжигом низкоомного кристалла в атмосфере серы. Это позволяет повьрсить температурную стабильность основных параметров кристаллов и упростить процесс их изготовления. Пластинки сульфида кадмия с плоскопараллельными поверхностями помещаются вместе с серой в стеклянную ампулу. Ампула закрывается, вносится в печь, температура которой + 500°С, и выдерживается в печи в течение 0,3-8 час в зависимости от требуемой основной частоты преобразователя. В этих условиях сера расплавляется и образцы огжигаются в лсидкой сере. Предмет изобретения Способ .изготовления кристаллов для ультразвуковых преобразователей на основе обедненных слоев сульфида кадмия, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности основных параметров кристаллов и упрощения процесса их -изготовления, обедненный носителями слой создают отжигом низкоомного кристалла в атмосфере серы.