СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ Советский патент 1971 года по МПК H04R31/00 

Изобретение относится к технологии нроизводства элементов радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении ньезопреобразователей.

Известен способ изготовления пьезопреобразователей, основанный на создании высокоомного диффузионного слоя на поверхности низкоом ных монокристаллов сульфида кадмия путем фотохимического осаждения пленок металла.

Недостаток ньезопреобразователей, изготовленных известным способом, состоит в плохой воспроизводимости их характеристик.

Целью изобретения является получение стабильных характеристик пьезопреобразователей.

Для этого по предлагаемому способу на ориентированные низкоомные пластинки или столбики сульфида кадмия наносят дозированное количество металла-акцептора или его сульфида из растворов солей меди, серебра, лития.

Способ состоит в следующем.

Ориентированные низкоомные пластинки или столбики сульфида кадмия погружают в 0,5-5%-ный водный раствор сернокислой меди или азотнокислого серебра и выдерживают на солнечном свете или облучают ультрафиолетовыми лучами. Дозированное нанесение меди или серебра регулируется временем облучения.

После фотохимического осаладения пленки меди или серебра пластинки промывают дистиллированпой водой и высушивают, а затем помещают в печь и выдерживают (в случае осаждения меди) при температуре 350-500°С в течение 1 - 10 мин или (в случае осаждения серебра) при температуре 400-

650°С в течение 0,5-10 мин. После остывания яа пластинках выполняют электрические колтакты и определяют параметры пьезопреобразователя. Металлический литий или его сульфид

нельзя осаждать на поверхность сульфида кадмня из водорастворимых солей, поэтому используется насыщенный раствор хлористого лития в этиловом эфире или другом органическом растворителе. Термообработка нластин производится при температуре 750- 850°С в течение 0,5-5 мин.

В результате технологической обработки на поверхности и в глубине низкоомного монокристалла сульфида кадмия образуется в дозированном количестве акцепторная примесь в виде металла или сульфида металла, т. е создается высокоомный диффузионный слой в объеме низкоомного кристалла, являющегося пьезопреобразователем. Дозированное вве3стижению стаби.тьных во времени и воспроизводимых Хс1 рактеристик пьезогьреобразователя. Предмет изобретения Способ изготовления пьезопреобразователей, основанный на создании высокоомного диффузионного слоя на поверхности низкоом4ных монокристаллов сульфида кадмия путем фотохимического осаждения пленок металла, отличающийся тем, что, с целью получения стабильных характеристик преобразователей. на ориентированные низкоомные пластинки или столбики сульфида кадмия наносят дозированное количество металла-акцептора или его сульфида из растворов солей меди, серебра, лития.

-, ; :, -:-,- - -.« S