ПЛАСТИНА ПАМЯТИ Советский патент 1968 года по МПК G11C5/04 

Описание патента на изобретение SU216800A1

Данное изобретение относится к области вычислительной техники. Может найти применение при проектировании микроминиатюрных запоминающих устройств.

Известны пластины памяти в виде керамической платы, в которую вклеены тороидальные ферритовые сердечники. Эта конструкция характеризуется плохим тепловым контактом между ферритовым сердечником и диэлектрической основой, невозможностью дальнейшей миниатюризации в связи с ограниченностью размеров вклеиваемых ферритовых тороидов и трудностью сборки тороидов в плате.

Целью настоящего изобретения является создание такой конструкции пластины памяти, которая позволила бы осуществить высокий тепловой контакт, обеспечивающий хороший теплоотвод от ферритового сердечника при простоте технологии и сохранении всех преимуществ диэлектрических пластин памяти с ферритовыми сердечниками. Это достигается тем, что между тороидами, выполненными, например, в виде ферритовых слоев, и керамической платой расположены переходные слои.

На чертеже приведена конструкция пластины памяти.

Пластина представляет собой керамическую плату 1, содержащую слой феррита 2 и переходный слой 3.

В отверстия керамической платы 1 методом химической транспортной реакции введен слой феррита 2, имеющий вид тороида. Между слоем феррита и керамической основой образован переходный слой 3, обеспечивающий хороший тепловой контакт и надежную связь между ферритом и керамической основой.

Похожие патенты SU216800A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления накопителя дляфЕРРиТОВыХ зАпОМиНАющиХ блОКОВ иуСТРОйСТВО для ЕгО ОСущЕСТВлЕНия 1979
  • Беккер Яков Михайлович
  • Лычагин Николай Иванович
  • Мешковский Игорь Касьянович
  • Фролов Николай Дмитриевич
  • Якушенко Екатерина Григорьевна
SU815768A1
ПЛАСТИНА ПАМЯТИ 1970
SU271583A1
ИНВЕРТОР С ВЫСОКОЙ УДЕЛЬНОЙ МОЩНОСТЬЮ 2016
  • Блё Поль
  • Жоанн Тьерри
  • Милстейн Франсуа
  • Стассен Пьер
  • Фребель Фабрис
RU2702103C2
СЛОЙ ПЛАНАРНОГО ТРАНСФОРМАТОРА, СБОРКА СЛОЕВ ДЛЯ ПЛАНАРНОГО ТРАНСФОРМАТОРА И ПЛАНАРНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР 2017
  • Вандеплассе Филипп
  • Скале Тьерри
RU2744933C2
УСТРОЙСТВО ОХЛАЖДЕНИЯ ИНДУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА 2012
  • Гончаров Александр Юрьевич
RU2515505C2
ТРЕХМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ 1997
RU2133523C1
Коммутационная плата на нитриде алюминия для силовых и мощных СВЧ полупроводниковых устройств, монтируемая на основании корпуса прибора 2018
  • Смирнов Игорь Петрович
  • Тевяшов Александр Александрович
  • Корпухин Андрей Сергеевич
RU2696369C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРЕХМЕРНОГО МНОГОКРИСТАЛЬНОГО МИКРОМОДУЛЯ 2005
  • Блинов Геннадий Андреевич
  • Грушевский Александр Михайлович
  • Егоров Константин Владиленович
RU2299497C2
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК 2021
  • Авраменко Владимир Витальевич
  • Бирюков Сергей Георгиевич
  • Минина Лариса Николаевна
  • Серова Марина Михайловна
RU2777491C1
МОНОПОЛЬНАЯ АНТЕННА С ЗАМКНУТЫМ СЕРДЕЧНИКОМ ДЛЯ МОБИЛЬНОГО ПРИМЕНЕНИЯ 2014
  • Крылов Константин Станиславович
  • Архипенков Владимир Яковлевич
  • Хрипков Александр Николаевич
  • Лукьянов Антон Сергеевич
RU2601527C2

Иллюстрации к изобретению SU 216 800 A1

Формула изобретения SU 216 800 A1

Пластина памяти в виде керамической платы с отверстиями, в которых установлены ферритовые тороиды, отличающаяся тем, что, с целью улучшения теплоотвода от тороидов, между тороидами, выполненными, например, в виде ферритовых слоев, и керамической платой расположены переходные слои.

SU 216 800 A1

Авторы

Берг И.В.

Беккер Я.М.

Швалев Ю.В.

Юрьева Е.К.

Даты

1968-07-09Публикация

1967-02-03Подача