ПЛАСТИНА ПАМЯТИ Советский патент 1970 года по МПК G11C5/02 G11C11/06 

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известна пластина памяти, содержащая керамическую плату с отверстиями, в которых установлены ферритовые тороиды. Работа запоминающего элемента известной пластины памяти малоустойчива (сохранение информадии при изменении управляющих токов), что обусловлено малой толщиной стенки тороида, образованного феррнтовой пленкой на внутренней поверхности отверстия подложки. При изменении управляющих (числовых) токов радиус зоны, в которой хранится информация, меняется, и при увеличении токов эта зона может вообще выйти за пределы тороида.

Целью предлагае.мого изобретения является увеличение устойчивости работы запоминающего элемента при сохранении .малых управляющих мощностей прототипа.

Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что на пластину, выполненную в виде керамической нодложки, наносят поликристаллическую ферритовую пленку.

Сущность изобретения поясняется чертежом.

Пластина памяти состоит из керамической подлолски /, на поверхность которой наносят псликристаллическую ферритовую пленку 2. В пленке и пластине посредством ультразвука пропшвают сквозные отверстия 5. Между подложкой / и пленкой 2 в процессе ее нанесения образуется переходной слой 4, состоящий из взаимно диффундирующих ионов подлол ки и пленки. Паличие этого слоя способствует хорошей адгезии пленки к подлол ке и лучщим условиям теплопереноса при локальном разогреве заполгипающей ячейки во время работы. Увеличение толщины стенкн ферритового сердечника способствует больщей устойчивости работы запоминающего элемента по отношению к колебаниям управляющих токов.

Предмет и з о б ) е т е н и я

Пластина памяти, содерл ащая керамическую плату с отверстиями, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости работы пластины памяти, на керамическую плату нанесена тонкая плоская ферритовая поликристаллическая пленка с переходным слоем между ни.ми.