Изобретение относится к конструкци ям запомниatoiiHX устройств и способу их изготовления. Известны платы с Ферритовыми сердечниками, выполненными в виде керамической платы с отверстиями, в которых установлены Лерритовые тороиды. Между тороидами, выполненными, например, в виде (Ьерритовых слоев, и керамической платой расположены переходные Недостатками данных плат являются а)высокое тепловое сопротивление переходного слоя; б)переходный слой увеличивает коэрцитивную силу тороидального сердечника, что неизбежно приводит к ув личению перемагничивающих токов, т. к увеличению потребляемой мощности запоминающего устройства; в)с уменьшением эффективной толщины тороидального сердечника увеличивается роль переходного слоя в воз растании коэрцитивной силы, что огра ничивает миниатюризацию к повышению быстродействия. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу изготовления плат является способ изготовления матрицы магнитной памяти заключающийся в том, что из керамического материала изготавливают пластины, толщина которых должна соответствовать требуемой высоте тороидов. В этой пластине делают отверстия, диаметры которых соответствуют наружному диаметру тороида. Затем керамическую пластину помещают на Ферритовую пластину, состав которой должен соответствовать составу с требуемыми характеристиками для тороидов и устанавливают в камеру для проведения химических транспортных реакций. После проведения реакций внутренняя поверхность отверстий в керамической плзстине покрывается слоем феррита. Одновременно покрывается ферритовым слоем часть поверхности керамичес- кой пластины, обращенная к Ферритовой пластине. Этот слой удаляют шлифованием р . Недостатком этого способа является то, что высокотемпературный процесс химической транспортной реакции сложен и плохо поддается автоматизации, что приводит к частому нарушению химического состава феррита. Другим недостатком является невозможность равномерного нанесения тонкого слоя Феррита и возникновение микротре;чин.
что снижсшт быстродействие запоминаюIjHx элементов.
Цель изобретения - повышение надежности плат с Ферритовыми сердечниками и повьлление информационной емкости накопителя.
Цель изобретения достигается тем, что подложку пластины памяти для запоминающего устройства выполняют из стекла, например, натриевоборосиликатного. Путем химической обработки подложки внутри отверстий, просверленных ультразвуком на ее поверхност образуют пористые слои, в которых (Нормируют микросердечники, пропитывая пористые слои магнитным материалом, производят термическую обработк подложки, шлифуют ее с обоих сторон и на поверхности подложки наносят печатные проводники.
На Фиг. 1 представлена плата с Феритовыми сердечниками для запоминающих матриц; на фиг. 2 - последователность обработки пластины.
Плата с Ферритовыми cepдeчникa lи для запоминающих матриц выполнена из стекла 1 с отверстиями 2, внутри которых образованы в пористых слоях микросердечники 3.
Изготовление платы предлагаемой конструкции осуществляют следующим образом.
В плате из стекла, например, натриевоборосиликатного, в котором при химической обработке некоторая часть его (не менее 25% и не более 75% по объему) переходит в раствор, просверливают ультразвуком .отверстия. Затем пластину опускают в растворитель чтобы со стороны цилиндрической поверхности отверстия образовался пористый слой (фиг.-26). После промывки и сушки платы, пористые слои пропитЕлвают растворами металлических соединений. После этого плату сушат и ее поверхность подвергают химической обработка, в результате которой в порах образуются осадки, содержащие металлы (фиг. 2в). Далее плату промывают, подвергают термической обработке и механической шлифовке (фиг. 2г). В заключение наносятся печатные проводники, чем и завершается процесс изготовления платы (ФИГ. 2д).
Далее приводится пример конструктивного исполнения платы и способ ее изготовления. В подложке толщиной 1 мм из нaтpиeвoбopocиликaт oгo стекла марки ДВ-1М ультразвуком с помощью пуансона просверливают отверстияПоверхность платы подвергают химической обработке путем погружения ее в раствор 0,25% соляной кислоты при комнатной температуре. При этом вокруг отверстий образуется пористый слой, состоящий из аморфного S i 0 толщиной 60 мкм. Плата промывается
в дистиллированной воде и сушится при температуре около 70С для. удаления влаги из пор. Затем плату опускают в раствор хлорного железа .FeCEi комнатной температуры (270 г FeCEj на 1 л раствора). Пропитанную раствором хлорного железа плату помешают в раствор аммиака при температуре примерно 23с. При этом в порах происходит реакция
0
FeCE,, +3NH ОН - Fe(OH)3 -I-
Гидроксид железа ,Fe (он )j в виде осадка задерживается в порах, а легко растворимая соль вымывается.
5 Путем нагревания плата при температуре около 350°С ГИДРОКСИД железа Fe(OH)3. переводят в оксид железа Fe, . После прокаливания Fej 0 становится нерастворимым в кислотах, что позволяет повторить цикл обработки платы несколько раз до более полного , заполнения пор. Затем плату шлифуют с обеих сторон и на ее поверхность наносят печатные проводники путем химического осаждения меди с даль5нейшим га льваническим ее наращиванием.
Предлагаемая пластина памяти и способ ее изготовления позволяют повысить быстродействие магнитных запо0минающих элементов примерно на 20%.
Формула изобретения
1.Способ изготовления накопителя для ферритовых запоминающих блоков, заключающийся в выполнении отверстий в немагнитной подлолске, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью
0 повышения надежности накопителя, поверхность отверстий разрушают до образования пористых слоев, пропитывают их магнитным материалом, термообрабатывают подложку, шлифуют с обеих сторон и на ее поверхности наносят пе5чатные проводники.
2.Устройство для осуществления способа изготовления накопителя для ферритовых запоминающих блоков памяти, содержащееподложку с отверстия0ми, отличающееся тем, что, с целью повышения информационной емкости накопителя, на поверхность отверстий нанесен магнитный материал, а на обе поверхности под5ложки - печатные проводники, при ,. этом, подложка выполнена из стекла, например, натриевоборосиликатного.
Источники информации-, принятые во внимание при экспертизе
1.Авторское свидетельство СССР
0 № 216800, кл. а11 С 5/02, 1968.
2.Авторское свидетельство СССР 208840, кл. G 11 С 5/02, 1968 (прототип).
Фиг.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ изготовления запоминающей матрицы | 1980 |
|
SU896689A1 |
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках | 1980 |
|
SU898500A1 |
Способ изготовления запоминающего устройства | 1985 |
|
SU1327188A1 |
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках | 1980 |
|
SU951387A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ М/\ГРИЦ | 1970 |
|
SU273282A1 |
ПЛАСТИНА ПАМЯТИ | 1967 |
|
SU216800A1 |
БИБЛИОТЕКА : | 1971 |
|
SU294255A1 |
ПЛАСТИНА ПАМЯТИ | 1970 |
|
SU266853A1 |
ПЛАСТИНА ПАМЯТИ | 1970 |
|
SU271583A1 |
Накопитель для запоминающего устройства | 1976 |
|
SU625247A1 |
}
/
,
6)
г)
д)
5
К
ж
ж
Л
.e
Авторы
Даты
1981-03-23—Публикация
1979-01-02—Подача