Способ изготовления накопителя дляфЕРРиТОВыХ зАпОМиНАющиХ блОКОВ иуСТРОйСТВО для ЕгО ОСущЕСТВлЕНия Советский патент 1981 года по МПК G11C5/02 

Описание патента на изобретение SU815768A1

Изобретение относится к конструкци ям запомниatoiiHX устройств и способу их изготовления. Известны платы с Ферритовыми сердечниками, выполненными в виде керамической платы с отверстиями, в которых установлены Лерритовые тороиды. Между тороидами, выполненными, например, в виде (Ьерритовых слоев, и керамической платой расположены переходные Недостатками данных плат являются а)высокое тепловое сопротивление переходного слоя; б)переходный слой увеличивает коэрцитивную силу тороидального сердечника, что неизбежно приводит к ув личению перемагничивающих токов, т. к увеличению потребляемой мощности запоминающего устройства; в)с уменьшением эффективной толщины тороидального сердечника увеличивается роль переходного слоя в воз растании коэрцитивной силы, что огра ничивает миниатюризацию к повышению быстродействия. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому способу изготовления плат является способ изготовления матрицы магнитной памяти заключающийся в том, что из керамического материала изготавливают пластины, толщина которых должна соответствовать требуемой высоте тороидов. В этой пластине делают отверстия, диаметры которых соответствуют наружному диаметру тороида. Затем керамическую пластину помещают на Ферритовую пластину, состав которой должен соответствовать составу с требуемыми характеристиками для тороидов и устанавливают в камеру для проведения химических транспортных реакций. После проведения реакций внутренняя поверхность отверстий в керамической плзстине покрывается слоем феррита. Одновременно покрывается ферритовым слоем часть поверхности керамичес- кой пластины, обращенная к Ферритовой пластине. Этот слой удаляют шлифованием р . Недостатком этого способа является то, что высокотемпературный процесс химической транспортной реакции сложен и плохо поддается автоматизации, что приводит к частому нарушению химического состава феррита. Другим недостатком является невозможность равномерного нанесения тонкого слоя Феррита и возникновение микротре;чин.

что снижсшт быстродействие запоминаюIjHx элементов.

Цель изобретения - повышение надежности плат с Ферритовыми сердечниками и повьлление информационной емкости накопителя.

Цель изобретения достигается тем, что подложку пластины памяти для запоминающего устройства выполняют из стекла, например, натриевоборосиликатного. Путем химической обработки подложки внутри отверстий, просверленных ультразвуком на ее поверхност образуют пористые слои, в которых (Нормируют микросердечники, пропитывая пористые слои магнитным материалом, производят термическую обработк подложки, шлифуют ее с обоих сторон и на поверхности подложки наносят печатные проводники.

На Фиг. 1 представлена плата с Феритовыми сердечниками для запоминающих матриц; на фиг. 2 - последователность обработки пластины.

Плата с Ферритовыми cepдeчникa lи для запоминающих матриц выполнена из стекла 1 с отверстиями 2, внутри которых образованы в пористых слоях микросердечники 3.

Изготовление платы предлагаемой конструкции осуществляют следующим образом.

В плате из стекла, например, натриевоборосиликатного, в котором при химической обработке некоторая часть его (не менее 25% и не более 75% по объему) переходит в раствор, просверливают ультразвуком .отверстия. Затем пластину опускают в растворитель чтобы со стороны цилиндрической поверхности отверстия образовался пористый слой (фиг.-26). После промывки и сушки платы, пористые слои пропитЕлвают растворами металлических соединений. После этого плату сушат и ее поверхность подвергают химической обработка, в результате которой в порах образуются осадки, содержащие металлы (фиг. 2в). Далее плату промывают, подвергают термической обработке и механической шлифовке (фиг. 2г). В заключение наносятся печатные проводники, чем и завершается процесс изготовления платы (ФИГ. 2д).

Далее приводится пример конструктивного исполнения платы и способ ее изготовления. В подложке толщиной 1 мм из нaтpиeвoбopocиликaт oгo стекла марки ДВ-1М ультразвуком с помощью пуансона просверливают отверстияПоверхность платы подвергают химической обработке путем погружения ее в раствор 0,25% соляной кислоты при комнатной температуре. При этом вокруг отверстий образуется пористый слой, состоящий из аморфного S i 0 толщиной 60 мкм. Плата промывается

в дистиллированной воде и сушится при температуре около 70С для. удаления влаги из пор. Затем плату опускают в раствор хлорного железа .FeCEi комнатной температуры (270 г FeCEj на 1 л раствора). Пропитанную раствором хлорного железа плату помешают в раствор аммиака при температуре примерно 23с. При этом в порах происходит реакция

0

FeCE,, +3NH ОН - Fe(OH)3 -I-

Гидроксид железа ,Fe (он )j в виде осадка задерживается в порах, а легко растворимая соль вымывается.

5 Путем нагревания плата при температуре около 350°С ГИДРОКСИД железа Fe(OH)3. переводят в оксид железа Fe, . После прокаливания Fej 0 становится нерастворимым в кислотах, что позволяет повторить цикл обработки платы несколько раз до более полного , заполнения пор. Затем плату шлифуют с обеих сторон и на ее поверхность наносят печатные проводники путем химического осаждения меди с даль5нейшим га льваническим ее наращиванием.

Предлагаемая пластина памяти и способ ее изготовления позволяют повысить быстродействие магнитных запо0минающих элементов примерно на 20%.

Формула изобретения

1.Способ изготовления накопителя для ферритовых запоминающих блоков, заключающийся в выполнении отверстий в немагнитной подлолске, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью

0 повышения надежности накопителя, поверхность отверстий разрушают до образования пористых слоев, пропитывают их магнитным материалом, термообрабатывают подложку, шлифуют с обеих сторон и на ее поверхности наносят пе5чатные проводники.

2.Устройство для осуществления способа изготовления накопителя для ферритовых запоминающих блоков памяти, содержащееподложку с отверстия0ми, отличающееся тем, что, с целью повышения информационной емкости накопителя, на поверхность отверстий нанесен магнитный материал, а на обе поверхности под5ложки - печатные проводники, при ,. этом, подложка выполнена из стекла, например, натриевоборосиликатного.

Источники информации-, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР

0 № 216800, кл. а11 С 5/02, 1968.

2.Авторское свидетельство СССР 208840, кл. G 11 С 5/02, 1968 (прототип).

Фиг.

Похожие патенты SU815768A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления запоминающей матрицы 1980
  • Беккер Яков Михайлович
  • Мешковский Игорь Касьянович
  • Фролов Николай Дмитриевич
  • Якушенко Екатерина Григорьевна
SU896689A1
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках 1980
  • Василенко Петр Григорьевич
SU898500A1
Способ изготовления запоминающего устройства 1985
  • Беккер Яков Михайлович
  • Беккер Михаил Яковлевич
  • Левшин Вениамин Иванович
  • Фролов Николай Дмитриевич
  • Фролкова Екатерина Григорьевна
SU1327188A1
Способ изготовления запоминающей матрицы на ферритовых сердечниках 1980
  • Василенко Петр Григорьевич
  • Мягконосов Павел Павлович
  • Чистяков Вилл Иванович
SU951387A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ М/\ГРИЦ 1970
SU273282A1
ПЛАСТИНА ПАМЯТИ 1967
  • Берг И.В.
  • Беккер Я.М.
  • Швалев Ю.В.
  • Юрьева Е.К.
SU216800A1
БИБЛИОТЕКА : 1971
SU294255A1
ПЛАСТИНА ПАМЯТИ 1970
SU266853A1
ПЛАСТИНА ПАМЯТИ 1970
SU271583A1
Накопитель для запоминающего устройства 1976
  • Беккер Яков Михайлович
  • Петрушина Марина Георгиевна
  • Петухов Годар Анатольевич
SU625247A1

Иллюстрации к изобретению SU 815 768 A1

Реферат патента 1981 года Способ изготовления накопителя дляфЕРРиТОВыХ зАпОМиНАющиХ блОКОВ иуСТРОйСТВО для ЕгО ОСущЕСТВлЕНия

Формула изобретения SU 815 768 A1

}

/

,

6)

г)

д)

5

К

ж

ж

Л

.e

SU 815 768 A1

Авторы

Беккер Яков Михайлович

Лычагин Николай Иванович

Мешковский Игорь Касьянович

Фролов Николай Дмитриевич

Якушенко Екатерина Григорьевна

Даты

1981-03-23Публикация

1979-01-02Подача