ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ Советский патент 1968 года по МПК G11C11/38 

Ячейки намяти, содержащие транзистор, в коллекторную цепь которого включен туннельный диод, известны.

Предложенная ячейка отличается тем, что в ней точка соединения коллектора транзистора и туннельного диода подключена через нагрузочный резистор к генератору та-ктовых импульсов.

Это позволяет повысить помехоустойчивость, нагрузочную способность генератора тактовых импульсо1В и уменьшить потребляемую мощность.

На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемой ячейки памяти.

Ячейка состоит из транзистора 1, туннельного диода 2, нагрузочного сопротивления 3 и дифференцирующей цепи 4, 5.

Транзистор 1, включенный по схеме с общим эмиттером, используется в качестве развязывающего элемента между ячейками памяти и как усилигель сигнала записи, поступающего в его базовую цепь.

Туннельный диод 2 и сопротивление 3 образуют элемент памяти ячейки.

Наличие сигнала в базе транзистора / приводит к его отпиранию и перебросу коллекторным током транзистора туннельного диода из состояния «О (низковольтное состояние

туннельного диода 2) в состояние «1 (высоковольтное состояние туннельного диода 2), т. е. происходит запись «1 и ее хранение до прихода тактового сигнала Т. Тактовый импульс отрицательной полярности считывает

«1, переводя туннельный диод из состояния, соответствующего «1 в состояние, соответствующее «О.

Предмет изобретения

Ячейка памяти, состоящая из транзистора, в коллекторную цень которого включен туннельный диод, отличающаяся тем, что, целью повышения помехоустойчивости, нагрузочной способности генератора тактовых импульсов и уменьшения потребляемой мощности, точка соединения коллектора транзистора и туннельного диода подключена через нагрузочный резистор к генератору тактовых импульсов.