Ясейка памяти Советский патент 1976 года по МПК G11C11/40 

(54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ теры соединеш, между собой и подключены к анодам диодов 5 и 6 и источнику питания. Базы транзисторов 3 и 4 соединены соответственно с коллекторами дополнительных транзисторов 7 и 8, базы которых подклю- . чены соответственно к базам многоэмиттер | ных усилительных транзисторов 1 и 2 и к коллекторным цепям нагрузочннх транзистог jpoB 3 и 4 противоположных плеч. Эмиттеры дополкитедьных: транзисторов 7 и 8 соедин4- ны между собой и подключены к коллекто рам транзисторов 1 и 2. Вторые эмиттеры транзисторов 1 и 2 подключены к разрядным шинам 9. Коллекторы транзисторов 1 и 2 подключены к адресной шине Ю. Вся яче . ка строго симметрична. В одном из состояний ячейки потешщал баз многоэмиттерного транзистора 2 и транзистора в выше, чем потенциал, баз гран зисторов 1 и 7 относительно коллекторов транзисторов 1 и 2. В этом случае образу-. ;Ются два кольца с замкнутой положительной .обратной связью. Первое кольцо состоит из соединенных между собой коллектора тра зистора 3, баз транзисторов 2 и 8, коллектора транзистора 8 и базы транзистора 3 с катодом диода 5, являющегося однрвре. менно нагрузочным элементом транзистора | |8, а также параметрическим термостабилиоатором базового тока транзистора 3. Второе кольцо, симметричное первому, состо-. ит из соединенных между собой коллек- . тора транзистора 4 с базами транзистфов 1 и 7, коллектора транзистора 7 и базь транзистора 4 с катодом диода 6. -. При повышении потенциала без транзистб ров 2 и 8 потенциалл коллектора транзистора 8 и первого эмиттера транзистора 2 J понижаются, что приводит к увеличению тока |через прямосмёщенный диод 5, а этов CBoio .очередь приводит к увеличению тока базы транзистора 3 и к повышению коллекторного тока этого транзистора. Повышение тока колиек1х)ра транзистора 3 ведет к увеличению базовых токов транисторов 2 и 8, т. е. к еще большему повышению потенциала баз .транзисторов 2 и 8. Весь процесс происходит IB активном режиме до значения коэф фициента усиления по кольцу обратной свй- зи, равного единице. При этом потенциал кол лектора транзистора 8 приближается к по-тенциалу его эмиттера, а потенциал коллектора транзистора 3 приближается к- потенциany его эмиттера. Поскольку потенциал первого эмиттера транзистора 2 стремится к потенциалу его коллектора, то в этом спу- чае потенциал баз jpanoHCторов 1 и 7 понижается, что ведет к запиранию этих тра листороп. При уменьшенный ток через диод 6 снижает ток базы транзистора 4 и, следовательно, ток его первого коллектора, }г. е. ток первого эмиттера транзистора.. 2. |Благодаря наличию кольца положительной обратной связи процесс происходит в активном режиме до значения коэффициента усиленйя, равного единице. Токи транзисторов jl, 4 и 7 резко уменьшаются и транзисторы {находятся на границе режима отсечки. Поскольку ток первого эмиттера транзистора 2 ; резко снижен, а ток базы приближается к величине коллектора транзистора 3, то транзистор 2 по первому эмиттеру Bxo-i дит в режим насыщения. Так как коаффиц. енты усиления транзисторов 7 и 8 относи- тельно высоки, то за счет термостабиль- I HOiS положительной обратной связи устойчи-i вое состояние ячейки с охраняется;, при работе в широком интервале температуры и питающих напряжений, а также при весьма зцл читальных токах разрядных Шин, т. е. би- стабильность состояния и помехоустойчивость йчёйки повышаются. Потребление тока происходит по цепи; транзйст.орЗ-базы транзисторов 2 и 8-.коплектор траВзйстора 8. Другое плечо ячейки находится в состоянии, близком к состоянию отсечки, и ток не потребляется. Диоды 5 и 6 являются не только элегмейтами нагрузки в кольце обратной связи. но и выполняют функции термостабильности базовых тшов транзисторов 3 и 4, что шает термсюгабип ьность ячейки при работе , в широком диапазоне температуры. Поскольку транзисторы 3 и 4 являются активными динамйчесаимн нагрузками транзисторов 1 и 2, т. е. сами выполняют функции-усиления сигнала и, следовательно, транзисторы 2 . а 1, 8 и 7 и их базы являются нагрузочными элeмeнtaми транзисторов 3 и 4, то пропесс нарастания величины импульса происходит С высокой скоростью. Испытания предложенной ячейки памяти показали, что она имеет высокое быстродействие и помехоусгойчивость при высокой термостабильности. Формула изобретени я Ячейка памяти, содержащая диоды, усилительные многоэмиттерные транзисторы и нагрузочные транзисторы, коллектор первого из которых соединен с первым эмиттером первого и базой Bixjporo усилительных транзисторов, коллектор второго нагрузочного транзистора соедиаен с первым эмиттером второго 1 базой первого усилительных транзисторов, отлн чающаяся тем, что, с..целью повышения быстродействия, помехоустойчивости и термостабильности , в нее включены первый и второй допо1ь. нвтельные транзисторы, причем база первого нагрузочного транзистора соединена-с ка,. тодом первого диода и колл тором второго дополнительного транзистора, база второхч) нагрузочного транзистора соединена с дом второго диода и ..коллектором первого дополнительного транзистора, эмиттеры доподнительных транзисторов подключены к кол 1 лекторам усилительных тр шзисторов, а баз4 1дЫполн1 телйгь1х транзисторов поякдючеяы к I базам соответствуюигах усилительных траз i зисторов. Источнихн информаш1И, пришстые во внф- мание при жсвертизе: I 1. Патент США NO 3531778, кп. 340L ;173, 197О. i 2. Патент США № 3747076, кл, 34Ог 1173, 1972.