Ясейка памяти Советский патент 1976 года по МПК G11C11/40 

Описание патента на изобретение SU521605A1

(54) ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ теры соединеш, между собой и подключены к анодам диодов 5 и 6 и источнику питания. Базы транзисторов 3 и 4 соединены соответственно с коллекторами дополнительных транзисторов 7 и 8, базы которых подклю- . чены соответственно к базам многоэмиттер | ных усилительных транзисторов 1 и 2 и к коллекторным цепям нагрузочннх транзистог jpoB 3 и 4 противоположных плеч. Эмиттеры дополкитедьных: транзисторов 7 и 8 соедин4- ны между собой и подключены к коллекто рам транзисторов 1 и 2. Вторые эмиттеры транзисторов 1 и 2 подключены к разрядным шинам 9. Коллекторы транзисторов 1 и 2 подключены к адресной шине Ю. Вся яче . ка строго симметрична. В одном из состояний ячейки потешщал баз многоэмиттерного транзистора 2 и транзистора в выше, чем потенциал, баз гран зисторов 1 и 7 относительно коллекторов транзисторов 1 и 2. В этом случае образу-. ;Ются два кольца с замкнутой положительной .обратной связью. Первое кольцо состоит из соединенных между собой коллектора тра зистора 3, баз транзисторов 2 и 8, коллектора транзистора 8 и базы транзистора 3 с катодом диода 5, являющегося однрвре. менно нагрузочным элементом транзистора | |8, а также параметрическим термостабилиоатором базового тока транзистора 3. Второе кольцо, симметричное первому, состо-. ит из соединенных между собой коллек- . тора транзистора 4 с базами транзистфов 1 и 7, коллектора транзистора 7 и базь транзистора 4 с катодом диода 6. -. При повышении потенциала без транзистб ров 2 и 8 потенциалл коллектора транзистора 8 и первого эмиттера транзистора 2 J понижаются, что приводит к увеличению тока |через прямосмёщенный диод 5, а этов CBoio .очередь приводит к увеличению тока базы транзистора 3 и к повышению коллекторного тока этого транзистора. Повышение тока колиек1х)ра транзистора 3 ведет к увеличению базовых токов транисторов 2 и 8, т. е. к еще большему повышению потенциала баз .транзисторов 2 и 8. Весь процесс происходит IB активном режиме до значения коэф фициента усиления по кольцу обратной свй- зи, равного единице. При этом потенциал кол лектора транзистора 8 приближается к по-тенциалу его эмиттера, а потенциал коллектора транзистора 3 приближается к- потенциany его эмиттера. Поскольку потенциал первого эмиттера транзистора 2 стремится к потенциалу его коллектора, то в этом спу- чае потенциал баз jpanoHCторов 1 и 7 понижается, что ведет к запиранию этих тра листороп. При уменьшенный ток через диод 6 снижает ток базы транзистора 4 и, следовательно, ток его первого коллектора, }г. е. ток первого эмиттера транзистора.. 2. |Благодаря наличию кольца положительной обратной связи процесс происходит в активном режиме до значения коэффициента усиленйя, равного единице. Токи транзисторов jl, 4 и 7 резко уменьшаются и транзисторы {находятся на границе режима отсечки. Поскольку ток первого эмиттера транзистора 2 ; резко снижен, а ток базы приближается к величине коллектора транзистора 3, то транзистор 2 по первому эмиттеру Bxo-i дит в режим насыщения. Так как коаффиц. енты усиления транзисторов 7 и 8 относи- тельно высоки, то за счет термостабиль- I HOiS положительной обратной связи устойчи-i вое состояние ячейки с охраняется;, при работе в широком интервале температуры и питающих напряжений, а также при весьма зцл читальных токах разрядных Шин, т. е. би- стабильность состояния и помехоустойчивость йчёйки повышаются. Потребление тока происходит по цепи; транзйст.орЗ-базы транзисторов 2 и 8-.коплектор траВзйстора 8. Другое плечо ячейки находится в состоянии, близком к состоянию отсечки, и ток не потребляется. Диоды 5 и 6 являются не только элегмейтами нагрузки в кольце обратной связи. но и выполняют функции термостабильности базовых тшов транзисторов 3 и 4, что шает термсюгабип ьность ячейки при работе , в широком диапазоне температуры. Поскольку транзисторы 3 и 4 являются активными динамйчесаимн нагрузками транзисторов 1 и 2, т. е. сами выполняют функции-усиления сигнала и, следовательно, транзисторы 2 . а 1, 8 и 7 и их базы являются нагрузочными элeмeнtaми транзисторов 3 и 4, то пропесс нарастания величины импульса происходит С высокой скоростью. Испытания предложенной ячейки памяти показали, что она имеет высокое быстродействие и помехоусгойчивость при высокой термостабильности. Формула изобретени я Ячейка памяти, содержащая диоды, усилительные многоэмиттерные транзисторы и нагрузочные транзисторы, коллектор первого из которых соединен с первым эмиттером первого и базой Bixjporo усилительных транзисторов, коллектор второго нагрузочного транзистора соедиаен с первым эмиттером второго 1 базой первого усилительных транзисторов, отлн чающаяся тем, что, с..целью повышения быстродействия, помехоустойчивости и термостабильности , в нее включены первый и второй допо1ь. нвтельные транзисторы, причем база первого нагрузочного транзистора соединена-с ка,. тодом первого диода и колл тором второго дополнительного транзистора, база второхч) нагрузочного транзистора соединена с дом второго диода и ..коллектором первого дополнительного транзистора, эмиттеры доподнительных транзисторов подключены к кол 1 лекторам усилительных тр шзисторов, а баз4 1дЫполн1 телйгь1х транзисторов поякдючеяы к I базам соответствуюигах усилительных траз i зисторов. Источнихн информаш1И, пришстые во внф- мание при жсвертизе: I 1. Патент США NO 3531778, кп. 340L ;173, 197О. i 2. Патент США № 3747076, кл, 34Ог 1173, 1972.

Похожие патенты SU521605A1

название год авторы номер документа
Ячейка памяти 1973
  • Домнин Лев Петрович
  • Петров Лев Николаевич
  • Тонких Николай Никитович
  • Федоров Дмитрий Петрович
SU545007A1
Операционный усилитель 1972
  • Домнин Лев Петрович
  • Тонких Николай Никитович
  • Федоров Дмитрий Петрович
  • Хорошков Юрий Васильевич
SU468254A1
Усилитель считывания 1973
  • Домнин Лев Петрович
  • Маковий Александр Нестерович
  • Савлук Анатолий Степанович
  • Федоров Дмитрий Петрович
SU531192A1
Логическое устройство 1977
  • Иванников Александр Захарович
  • Кравцов Алексей Дмитриевич
  • Летников Вячеслав Борисович
SU738171A1
Усилитель записи и считывания для запоминающего устройства с произвольной выборкой 1983
  • Балашов Сергей Михайлович
  • Дятченко Владимир Николаевич
  • Неклюдов Владимир Алексеевич
  • Нестеров Александр Эмильевич
SU1091223A1
Операционный усилитель 1973
  • Домнин Лев Петрович
  • Петров Лев Николаевич
SU470815A1
Ячейка памяти 1974
  • Аракчеева Инна Анатольевна
  • Иванов Виталий Андреевич
  • Мамута Валерий Михайлович
  • Прушинский Виктор Васильевич
  • Удовик Анатолий Павлович
  • Филиппов Александр Гордеевич
SU536527A1
Операционный усилитель 1977
  • Волобуев Герман Борисович
  • Домнин Лев Петрович
  • Заец Владимир Иванович
  • Сбоев Сергей Александрович
SU736119A1
Импульсный операционный усилитель 1974
  • Домнин Лев Петрович
SU459780A1
Входное устройство схемы сранения токов 1985
  • Азаров Алексей Дмитриевич
  • Стейскал Виктор Ярославович
  • Рафалюк Александр Евгеньевич
  • Лысюк Виктор Владимирович
SU1363452A1

Реферат патента 1976 года Ясейка памяти

Формула изобретения SU 521 605 A1

SU 521 605 A1

Авторы

Домнин Лев Петрович

Петров Лев Николаевич

Маковий Александр Нестерович

Савлук Александр Степанович

Федоров Дмитрий Петрович

Даты

1976-07-15Публикация

1974-01-03Подача