ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ Советский патент 1968 года по МПК G11C11/38 

Ячейки памяти, содержащие элемент памяти на двух последовательно включенных туннельных диодах, транзистор записи и дифференцирующую цепь, известны.

Предлагаемая ячейка отличается тем, что она содержит транзистор считывания, эмиттер которого подключен к точке соединения туннельных диодов, коллектор подсоединен к дополнительному источнику питания, а база через резистор - к генератору тактовых импульсов, причем коллектор транзистора записи подключен к эмиттеру транзистора считывания и к точке соединения туннельных диодов.

Это позволяет увеличить помехоустойчивость, нагрузочную способность генератора тактовых импульсов и значительно уменьшить потребляемую мощность.

На чертеже приведена принципиальная схема ячейки памяти.

Ячейка состоит из транзистора 1, выполняющего функцию развязки ячеек, записи и усиления сигнала; транзистора 2 с сопротивлением 3, выполняющих функцию считывания информации с элемента памяти и усиления тактового сигнала; элемента памяти на включенных последовательно туннельных диодах 4 и 5 и дифференцирующей цепи 6 и 7.

Наличие сигнала в базе транзистора 1 приводит к отпиранию этого транзистора и переключению коллекторным током элемента памяти из состояния «0» (низковольтное состояние туннельного диода 5 и высоковольтного диода 4) в состояние «1» (высоковольтное состояние туннельного диода 5 и низковольтное диода 4), т.е. происходит запись «единицы» и ее хранение до прихода тактового сигнала. Тактовый импульс отрицательной полярности, подаваемый через сопротивление 3 в базу транзистора 2, отпирает его и током, протекающим в эмиттерной цепи, считывает «единицу», переключая элемент памяти в «0».

Ячейка памяти, содержащая элемент памяти на двух последовательно включенных туннельных диодах, транзистор записи и дифференцирующую цепь, отличающаяся тем, что, с целью увеличения помехоустойчивости, нагрузочной способности генератора тактовых импульсов и значительного уменьшения потребляемой мощности, она содержит транзистор считывания, эмиттер которого подключен к точке соединения туннельных диодов, коллектор подсоединен к дополнительному источнику питания, а база через резистор - к генератору тактовых импульсов, причем коллектор транзистора записи подключен к эмиттеру транзистора считывания и к точке соединения туннельных диодов.