БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «ИЛ И»~«НЕ» Советский патент 1969 года по МПК H03K19/20 

Быстродействующие логические элеме:тты являются составиой частью быстродействующих узлов цифровых вычислительных л;ащин, а также .дюгут быть использованы в высокоскоростных устройствах автоматики и ядерной электроники.

Известны быстроде11ствующие логические элементы «ИЛИ - НЕ, содержащие диодную входную схему «.ИЛИ и схему «НЕ на туннельном диоде и диоде с накоилением заряда, Такие элементы имеют сложную систему импульсного питания, которая необходима для формирования мощных синхроилшульсов с высокой частотой следования и крутым иерсдиим фронтом.

Укорочеиие фронта сиихроимиульсов, необходимое для иоддержания усиления схемы Hpii увеличении частоты, ириводнт одиовре.меино к возрастанию помехи, проп)кающей нри oic Tствии иакоиленного заряда через емкость уснлнтельного диода.

Предложенный быстродействуЕощнй логический элемеит «ИЛИ-ПЕ отличается тем, что анод диода с иаконление:М заряда подключен к источнику иостояннэго напряжения, а катод соединеи с выходом Д1 одной схемы «PLin и эмиттером доиолиительного транзистора, включенного но схе.ме с обнигм коллекто юм, база которого подсоединена ко входу напряжения сиихрониЗацнн.

Это нозволяст иовысить надежность элемента и унростить систему 1;мнульсного иитания путсд использования сг1иусоидального сиихронизируктщсго и; иряження.

Па чертеже п; иведеиа элсктросхема пред.л о ж с н н о го э/ с ей та.

Он состо гг из входной диодной схемы «ИиПИ на диодах /. KOTOpoii соединен с катодо: 1 диода 2 с накоиленисм заряда, с анодом диода 3 и iiMiTTCpOii доиолнитсльиого транзистора 4, включеллогс ио схеме с общим коллектором. База тра1;зистора иодсоедииена к резистору 5 и входу 6 напряжения синхроиизацип. Анод диода 2 с иакоплеиием иодключен к источнику 7 иостояиио:о напряжения, а катод диода 3 к аиоду туниель;1ого диода 8 и диода 9, на катод которого через вход 0 иодаются имиульсы сброса. Входы диодной схемы «ПЛИ - //, а выход элемента - 12.

В предложенriOM элс.меите логическое усилеиие достигается с иомои ью диода с накоплением заряда, а фуикиию запоминания выиолияет туинельиый диод 8. иравление накоплением заряда в диоде 2 осуществляется предыдуи1ей логическо ячейко через диодную схему ччПЛР иа диодах /.

Подобное включение транз; стора 4 и диода с иакоиле11н:ед заряда позволяет использовать для сиихронизаиии Н11зковольтпое иапряжоние сииусои-дальной формы. Кроме того, нелнней