СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ДЕТАЛИ Советский патент 1969 года по МПК B21D28/24 B21K29/00 

Изобретение относится к области обработки давлением труднодеформируемых материалов и может быть использовано для получения отверстий или углублений в монокристаллах полупроводниковых элементов и металлах трша молибдена, вольфрама, ниобия.

Известен способ образования отверстий, при которо.м деталь нагревают до пластического состоян;-я, а зател под давлением вырубают отверстие.

Предложенный способ отличается от известного тем, что, с пелью возможностп обработки мо.нокристаллов полупроводниковых элементов п труднодефор.мпруемых металлов типа молибдена, вольфрама и ииобия, на месте получения отверстия или углубления в обрабатываемой детали накладывают слой в виде таблетки или прокладки вещества, которое в контакте с обрабатываемым материалом при нагреве до заданной температуры образует жидкоплавкую фазу эвтектического состава. К детали со стороны таблетки или прокладки ирикладывают усилия, воздействуя на нее, например, пуансоном, и образовавшуюся жидкость выдавливают .наружу, образуя углубление.

Вещества для нанесения слоя -подбирают в соответствии с диаграммой состояний, на-пример, получеипе сквозного отверстия в монокристаллах кремния обеспечивается наложением золотой фольги II нагрева в течение нескольких секунд до 400°С. Тот же результат может быть достигнут в контакте кремния с алюминием при нагреве до .

Предмет изобретения

Способ образования отверстий в детали путем нагрева ее до пластического состояния и ириложенпя давления в зоне обработки, отличающийся тем, что, с целью возможности обработки монокристаллов полупроводниковых элементов и труднодеформируемых металлов типа молибдена, вольфрама и ниобия, нагрев детали производят с предварительно наложенным иа нее слоем вещества, обеспечивающего при совместном нагреве с деталью до эвтектического состояния образование жидкой фазы.