МНОГООТВЕРСТНАЯ ФЕРРИТОВАЯ ПЛАСТИНА ПАМЯТИ Советский патент 1969 года по МПК G11C11/06 

Описание патента на изобретение SU237200A1

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известны многоотверстные ферритовые пластины, в которых наблюдается взаимодействие между ячейками памяти через идентичную магнитную среду. Объемы феррита между ячейками перемагничиваются по частным циклам, иоскольку коэрцитивная сила материала иластипы одинакова в любой ее части, а перемагничивающее поле убывает обратно пропорционально расстоянию.

Целью настоящего изобретения является создание такой пластины памяти, в которой взаимодействие между отдельными ячейками ламяти было полностью устранено, либо резко уменьшено. Эта цель достигается созданием конструкции ферритовой пластины, в которой ячейки памяти разделены -такими областями феррита, где коэрцити1вная сила в несколько раз выше, чем в перемагничиваемых областях ячеек.

Вследствие этого создается энергетический барьер между ячейками, существеино уменьшающий их взаимодействие.

На фиг. 1 доказана часть ферритовой пластины; на фиг. 2 - распределение перемагнич,ИБающего поля и коэр.цитивной силы в миотоотверстной пластине в зависимости от расстояния.

В ферритовой пластине ироходят сквозные отверстия 1, участки 2 пластины имеют высокое значение коэрцитивной силы.

На фиг. 2 приведены следующие обозначения; Н - иеремагничивающее поле, //с - коэрцитивная сила, г - расстояние, а --- области ячеек памяти, перемагиичиваемые по предельной петле гистерезиса, б - области, иеремагничИВаемые по частным циклам. Линия Я с показывает одинаковую величину коэрцитивной силы расстоянию г; линии Я - изменение перемагнцчивающего поля в зависимости от расстояния г; кривая Н - изменение коэрцитивной силы в пластине в зависимости

5 от расстояния. Такая форма кривой Я,- соответствует конструкции предлагаемой пластины.

Вокруг отверстнй 1 расположены участки пластины с низкой коэрцитивной силой. Эти

0 участки образуют чмагиитоироводы ячеек памяти. Ячейки разделены участками 2 иластииы. имеющими высокую коэрцитивную силу.

25

Предмет изобретения

вып-олнена в виде чередующихся участков с низкой коэрцитивнОй силой Вокруг отверстий

и участков С высокой коэрцитивной силой между ячейками памяти.

Похожие патенты SU237200A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФЕРРИТОВОЙ ПЛАСТИНЫ 1969
SU236539A1
СПОСОБ ТОРОИДНОЙ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ, ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И УСТРОЙСТВО ПАМЯТИ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА 1999
  • Дубовик В.М.
  • Кисляков Ю.В.
  • Марценюк М.А.
  • Осипов П.А.
  • Сенченко В.А.
RU2154863C1
Преобразователь магнитных полей 1984
  • Клюев Владимир Владимирович
  • Шкарлет Юрий Михайлович
  • Абакумов Алексей Алексеевич
  • Вильданов Рауф Гибадуллович
SU1179203A1
Способ изготовления накопителя дляфЕРРиТОВыХ зАпОМиНАющиХ блОКОВ иуСТРОйСТВО для ЕгО ОСущЕСТВлЕНия 1979
  • Беккер Яков Михайлович
  • Лычагин Николай Иванович
  • Мешковский Игорь Касьянович
  • Фролов Николай Дмитриевич
  • Якушенко Екатерина Григорьевна
SU815768A1
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) 2012
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
  • Фраерман Андрей Александрович
  • Ятманов Александр Павлович
RU2532589C2
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА 2012
  • Гусев Сергей Александрович
  • Качемцев Александр Николаевич
  • Киселев Владимир Константинович
  • Климов Александр Юрьевич
  • Рогов Владимир Всеволодович
  • Фраерман Андрей Александрович
RU2522714C2
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И СПОСОБ ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ 2014
  • Абдуев Марат Хаджи-Муратович
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Дюжев Николай Алексеевич
  • Чиненков Максим Юрьевич
RU2573200C2
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИМ УСТРОЙСТВОМ С ПОДАЧЕЙ КОМПЕНСАЦИОННЫХ ИМПУЛЬСОВ ДО И ПОСЛЕ ПОМЕХИ 2005
  • Карлссон Кристер
  • Хамберг Пер
  • Бьорклид Стаффан
  • Томпсон Майкл О.
  • Вомак Ричард
RU2326456C1
СИНХРОНИЗАТОР ДЛЯ МНОГОТАКТНЫХ ФЕРРОТРАНЗИСТОРНЫХ СИСТЕЛ1 С РАЗНОВРЕМЕННЫЛ1ЗАПРЕТОМ 1970
SU273517A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФЕРРИТОВОЙ ПЛАСТИНЫ 1972
SU347821A1

Иллюстрации к изобретению SU 237 200 A1

Реферат патента 1969 года МНОГООТВЕРСТНАЯ ФЕРРИТОВАЯ ПЛАСТИНА ПАМЯТИ

Формула изобретения SU 237 200 A1

SU 237 200 A1

Даты

1969-01-01Публикация