Изобретение относится к области запоминающих устройств.
Известны многоотверстные ферритовые пластины, в которых наблюдается взаимодействие между ячейками памяти через идентичную магнитную среду. Объемы феррита между ячейками перемагничиваются по частным циклам, иоскольку коэрцитивная сила материала иластипы одинакова в любой ее части, а перемагничивающее поле убывает обратно пропорционально расстоянию.
Целью настоящего изобретения является создание такой пластины памяти, в которой взаимодействие между отдельными ячейками ламяти было полностью устранено, либо резко уменьшено. Эта цель достигается созданием конструкции ферритовой пластины, в которой ячейки памяти разделены -такими областями феррита, где коэрцити1вная сила в несколько раз выше, чем в перемагничиваемых областях ячеек.
Вследствие этого создается энергетический барьер между ячейками, существеино уменьшающий их взаимодействие.
На фиг. 1 доказана часть ферритовой пластины; на фиг. 2 - распределение перемагнич,ИБающего поля и коэр.цитивной силы в миотоотверстной пластине в зависимости от расстояния.
В ферритовой пластине ироходят сквозные отверстия 1, участки 2 пластины имеют высокое значение коэрцитивной силы.
На фиг. 2 приведены следующие обозначения; Н - иеремагничивающее поле, //с - коэрцитивная сила, г - расстояние, а --- области ячеек памяти, перемагиичиваемые по предельной петле гистерезиса, б - области, иеремагничИВаемые по частным циклам. Линия Я с показывает одинаковую величину коэрцитивной силы расстоянию г; линии Я - изменение перемагнцчивающего поля в зависимости от расстояния г; кривая Н - изменение коэрцитивной силы в пластине в зависимости
5 от расстояния. Такая форма кривой Я,- соответствует конструкции предлагаемой пластины.
Вокруг отверстнй 1 расположены участки пластины с низкой коэрцитивной силой. Эти
0 участки образуют чмагиитоироводы ячеек памяти. Ячейки разделены участками 2 иластииы. имеющими высокую коэрцитивную силу.
25
Предмет изобретения
вып-олнена в виде чередующихся участков с низкой коэрцитивнОй силой Вокруг отверстий
и участков С высокой коэрцитивной силой между ячейками памяти.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФЕРРИТОВОЙ ПЛАСТИНЫ | 1969 |
|
SU236539A1 |
СПОСОБ ТОРОИДНОЙ ЗАПИСИ И СЧИТЫВАНИЯ ИНФОРМАЦИИ, ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И УСТРОЙСТВО ПАМЯТИ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА | 1999 |
|
RU2154863C1 |
Преобразователь магнитных полей | 1984 |
|
SU1179203A1 |
Способ изготовления накопителя дляфЕРРиТОВыХ зАпОМиНАющиХ блОКОВ иуСТРОйСТВО для ЕгО ОСущЕСТВлЕНия | 1979 |
|
SU815768A1 |
ВСТРАИВАЕМАЯ С СБИС ТЕХНОЛОГИИ КМОП/КНИ ПАМЯТЬ "MRAM" И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) | 2012 |
|
RU2532589C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И СПОСОБ ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ | 2014 |
|
RU2573200C2 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩИМ УСТРОЙСТВОМ С ПОДАЧЕЙ КОМПЕНСАЦИОННЫХ ИМПУЛЬСОВ ДО И ПОСЛЕ ПОМЕХИ | 2005 |
|
RU2326456C1 |
СИНХРОНИЗАТОР ДЛЯ МНОГОТАКТНЫХ ФЕРРОТРАНЗИСТОРНЫХ СИСТЕЛ1 С РАЗНОВРЕМЕННЫЛ1ЗАПРЕТОМ | 1970 |
|
SU273517A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФЕРРИТОВОЙ ПЛАСТИНЫ | 1972 |
|
SU347821A1 |
Даты
1969-01-01—Публикация