Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов.
Известные способы создания р-я-переходов (сплавление, диффузия) и выводов к ним (пайка, сварка, термокомпрессия) не позволяют получать структуры малой площади с малой глубиной залегания перехода.
Ио предложенному способу примеои одного типа проводимости вводят в поверхностный слой полупроводника противоположного турпа провадимости да-влением без образования жидкой фазы при температуре выше комиатной, но ниже температуры эвтектики полупроводник - примесный материал. Это позволяет получить переходы малой площади, расположенные на небольшой глубине.
Описываемый способ иллюстрируется чертежом.
Показанный переход получен термокомпрессией алюминиевой проволоки / к поверхности германиевой пластины 2, легированной сурьмой, при температуре 320°С и давлении 5 кг1мм ; образующаяся от внедрения область р-типа 3 имеет толщину менее 0,1 мк.
По предлолсенной технологии могут изготовляться силовые и туннельные диоды, ВЧи СВЧ-транзисторы.
Предмет изобретения
Способ изготовлеп 1я р-/г-переходов методo i введения легирующей лримеси, отличающийся тем, что, с нелью получения переходов малой площади и расположенных па небольшой глубине, примесп вводят давлением при температуре выше комнатно), но ниже температуры эвтектики полупроводник - примссHbiii материал.
